汤艳
,
杨德仁
,
马向阳
,
李东升
,
樊瑞新
,
阙端麟
材料导报
介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,并讨论了内吸杂的物理机理.最后探讨了今后吸杂的发展方向.
关键词:
硅
,
内吸杂
,
金属
,
氧
冯泉林
,
周旗钢
,
王敬
,
刘斌
,
刘佐星
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.002
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响.发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度.使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化.发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加.
关键词:
硅抛光片
,
洁净区
,
氧沉淀
,
内吸杂
,
原子力显微镜
,
微粗糙度
闵靖
,
邹子英
,
李积和
,
陈青松
,
周子美
,
陈一
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.016
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用.本文提出了多晶硅持续吸杂的机理.
关键词:
多晶硅吸杂
,
内吸杂
,
增强吸杂
,
氧沉淀
,
氧化层错
,
洁净层
