材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应

吴晓薇 , 郭子政 , 阎祖威

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.014

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别.在此基础上计算了GaN/GaAIN量子阱内电子的激发态极化.研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响.结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大.

关键词: 光电子学 , 量子阱 , 内建电场 , 激发态极化 , 静压

内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响

郑冬梅 , 王宗篪 , 苏春燕

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.016

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大.随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小.与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能.

关键词: 光电子学 , 柱形量子点 , 内建电场 , 杂质 , 束缚能

纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁

郑冬梅 , 王宗篪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.001

在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子(A-,X)的发光波长.结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸(高度和半径)、离子受主杂质的位置和垒中A1含量.随着量子点高度、半径及垒中A1含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大.随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值；随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值；进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大.和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小.

关键词: 光电子学 , 柱形量子点 , 内建电场 , 离子受主束缚激子 , 发光波长

内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响

危书义 , 赵旭 , 吴花蕊 , 夏从新

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.02.009

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应,研究了GaN/AlGaN单量子点发光性质随量子点结构参数(量子点高度L和量子点半径R)的变化.结果表明:内建电场对GaN/AlGaN单量子点的发光波长和激子基态振子强度等发光性质有重要的影响;量子点高度的变化对量子点发光性质的影响要比量子点半径的变化对量子点发光性质的影响更明显.

关键词: GaN/AlGaN , 量子点 , 内建电场 , 振子强度

耦合GaN/AlxGa1-xN量子点的非线性光学性质

危书义 , 杨艳岭 , 夏从新 , 吴花蕊 , 赵旭

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.002

在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究.计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小.量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象.

关键词: 耦合量子点 , 激子 , 内建电场 , 光吸收系数

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词