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CNTs-Al2O3多孔陶瓷复合材料的制备与性能

彭美华 , 程西云 , 周彪 , 严茂伟 , 张建锋

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.06.018

利用冰模板法制备一种具有高孔隙率的碳纳米管强化氧化铝(CNTs-Al2O3)多孔陶瓷复合材料。采用SEM,XRD及Raman对样品进行表征,研究碳纳米管(CNTs)含量对复合材料微观形貌、性能的影响。结果表明:随着CNTs含量的增大,复合材料的体积密度、孔隙率和抗压强度均发生改变;添加适量的CNTs能促进陶瓷孔壁烧结致密度,提高材料的抗压强度;但加入过量CNTs会导致CNTs团聚,嵌于陶瓷内壁形成微孔,反而降低了材料致密度与抗压强度;当CNTs含量达2.0%(质量分数)时,多孔陶瓷的抗压强度达到最大值4.52MPa,相对纯Al2O3多孔陶瓷提高了66%。

关键词: 冰模板法 , 多孔陶瓷 , 碳纳米管 , 氧化铝

冰模板法制备反应结合多孔Si3N4/SiC复相陶瓷

马永华 , 罗民 , 吕玉琴 , 丁肖怡 , 候广亚

人工晶体学报

以微米级SiC和Si粉为原料,采用冰模板法和氮化反应烧结法制备了孔道中修饰α-Si3N4、Si2N2O纳米线的β-Si3N4结合多孔SiC复相陶瓷.研究了反应烧结温度、SiC/Si比和固相含量对多孔陶瓷的物相结构、形貌、孔分布和压缩强度的影响.结果表明:多孔陶瓷具有层状定向通孔结构,孔隙率介于50% ~ 70%之间,孔径分布呈现双峰分布特点;当烧结温度达到1350℃以上时,在层状孔道中交织形成α-Si3N4和Si2N2O纳米线的网络结构.反应温度超过1450℃时,通过液态Si的氮化反应原位形成β-Si3N4结合相将SiC颗粒粘结起来;当浆料中Si含量由16wt%增加至33wt%时,多孔陶瓷的开气孔率从69.78%降至62.64%,而压缩强度由2.2 MPa提高到8.73 MPa;随着浆料固相体积含量从25%增加到45%,多孔陶瓷的气孔率从71.81%降至54.85%,同时压缩强度从4.99 MPa提高到24.16 MPa.

关键词: SiC陶瓷 , 冰模板法 , 反应结合氮化硅 , Si3N4纳米线 , Si2N2O纳米线

用冰模板法制备羟基磷灰石多孔陶瓷

张妍 , 周科朝 , 张晓泳 , 张斗

材料研究学报

使用水基羟基磷灰石(HA,Ca5(PO4)3OH)浆料,用冰模板法制备定向层状多孔HA陶瓷,研究了浆料中HA陶瓷颗粒含量和冷端温度的影响.结果表明:随着浆料中HA陶瓷颗粒含量的提高,浆料的粘度值增大,层状多孔结构的层厚度相应增加,孔道层间距减小甚至消失,多孔材料的抗压强度从1.4 MPa提高到5.7 MPa,孔隙率从76.2%降低到44.2%.降低冷端温度使片层状结构的层间距从大约20 μm减小到3-5 μm,陶瓷层厚度从2-3 μm增大到15-20 μm.

关键词: 无机非金属材料 , 羟基磷灰石 , 冰模板法 , 取向多孔 , 微观结构

CNTs-Al2O3多孔陶瓷复合材料的制备与性能

彭美华 , 程西云 , 周彪 , 严茂伟 , 张建锋

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.06.018

利用冰模板法制备一种具有高孔隙率的碳纳米管强化氧化铝(CNTs Al2O3)多孔陶瓷复合材料.采用SEM,XRD及Raman对样品进行表征,研究碳纳米管(CNTs)含量对复合材料微观形貌、性能的影响.结果表明:随着CNTs含量的增大,复合材料的体积密度、孔隙率和抗压强度均发生改变;添加适量的CNTs能促进陶瓷孔壁烧结致密度,提高材料的抗压强度;但加入过量CNTs会导致CNTs团聚,嵌于陶瓷内壁形成微孔,反而降低了材料致密度与抗压强度;当CNTs含量达2.0%(质量分数)时,多孔陶瓷的抗压强度达到最大值4.52MPa,相对纯Al2O3多孔陶瓷提高了66%.

关键词: 冰模板法 , 多孔陶瓷 , 碳纳米管 , 氧化铝

用冰模板法制备羟基磷灰石多孔陶瓷

张妍周科朝张晓泳张斗

材料研究学报

使用水基羟基磷灰石(HA, Ca5(PO4)3OH)浆料, 用冰模板法制备定向层状多孔HA陶瓷, 研究了浆料中HA陶瓷颗粒含量和冷端温度的影响。结果表明: 随着浆料中HA陶瓷颗粒含量的提高, 浆料的粘度值增大, 层状多孔结构的层厚度相应增加, 孔道层间距减小甚至消失, 多孔材料的抗压强度从1.4 MPa提高到5.7 MPa, 孔隙率从76.2%降低到44.2%。降低冷端温度使片层状结构的层间距从大约20 μm减小到3--5 μm, 陶瓷层厚度从2--3 μm增大到15--20 μm。

关键词: 无机非金属材料 , hydroxyapatite , ice-templating method , oriented porous ceramics , microstructure

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