沈大可
,
韩高荣
,
杜丕一
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.002
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.
关键词:
分子束外延
,
ZnSSe薄膜
,
光电特性
,
液晶光阀
徐安怀
,
陈晓杰
,
齐鸣
,
朱福英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.005
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份、空穴浓度和 迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析.
关键词:
分子束外延
,
碳掺杂
,
四溴化碳
,
InGaAs
,
异质结双极晶体管
魏全香
,
王鹏飞
,
任正伟
,
贺振宏
材料科学与工程学报
1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值.本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度.在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用.在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长.最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491rim,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点.
关键词:
异变
,
InAs量子点
,
分子束外延
,
发光波长
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
厚度
高汉超
,
尹志军
,
张朱峰
人工晶体学报
研究了100 mm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制.通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性.12个样品方阻的标准差为0.53％,全部偏差1.66％.通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平.
关键词:
GaAs赝配高电子迁移晶体管
,
分子束外延
,
控制
,
稳定性
杨沛锋
,
李开成
,
何林
,
刘道广
,
张静
,
李竞春
,
谢孟贤
,
杨谟华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.007
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.
关键词:
锗硅材料
,
分子束外延
,
异质结双极晶体管
,
优化设计
孙殿照
,
刘宏新
,
王军喜
,
王晓亮
,
刘成海
,
曾一平
,
李晋闽
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013
介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).
关键词:
氮化镓
,
GaN
,
分子束外延
,
二维电子气
,
极化
唐田
,
张永刚
,
郑燕兰
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.012
研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.
关键词:
InGaAsSb
,
分子束外延
,
多量子阱
,
光致发光
周海飞
,
龚谦
,
王凯
,
康传振
,
严进一
,
王庶民
材料科学与工程学报
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质.利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8％,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0％.通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响.通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用.
关键词:
分子束外延
,
InGaP
,
InAlP
,
张应变Ge
