范素华
,
张丰庆
,
胡广达
,
岳雪涛
,
徐静
,
张伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.026
用溶胶-凝胶法制备了钛酸锶铋层状钙钛矿结构(SBTi)铁电陶瓷,研究了不同烧结温度对其显微结构和电性能的影响,分析了相关机理,发现1100℃烧结样品的晶粒发育比较完全,居里温度为520℃;压电常数d33和剩余极化强度2Pr较大,分别为9×10-12C/N和2.1μC/cm2,矫顽场强2Ec为49.4kV/cm.
关键词:
溶胶凝胶法
,
居里温度
,
压电常数
,
剩余极化
王根水
,
石富文
,
孙璟兰
,
孟祥建
,
戴宁
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.004
采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500 kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(Ec)为65 kV/cm;100 kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著.
关键词:
LaNiO3
,
PbZr0.4Ti0.6O3
,
铁电薄膜
,
剩余极化
,
介电特性
吴家刚
,
朱基亮
,
肖定全
,
朱建国
,
谭浚哲
,
张青磊
功能材料
采用射频磁控溅射技术,以LaNiO3(LNO)作为过渡层,在SiO2/Si(100)、Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上分别获得了(100)、(110)取向的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜.研究了LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)和LNO/SiO2/Si(100)基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响.实验结果表明,与在LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上沉积的(110)取向的PLT薄膜相比较,在LNO/SiO2/Si(100)基底上沉积的高度(100)取向的PLT薄膜具有更好的微结构和更高的剩余极化强度,其2Pr为40.4μC/cm2.
关键词:
(Pb090La010)Ti0975O3(PLT)
,
铁电薄膜
,
射频磁控溅射
,
LaNiO3
,
剩余极化
王小平
,
朱俊
,
罗文博
,
张鹰
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BIT)系列薄膜.利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律.分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度:气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大.通过上述试验结果得到,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BIT薄膜的优化条件为氧分压35Pa、衬底温度700℃.在此优化条件下制备的BIT薄膜为a轴择优取向,剩余极化值达到7μC/cm2.
关键词:
BIT
,
剩余极化
,
a轴择优
石富文
,
孟祥键
,
王根水
,
林铁
,
李亚巍
,
马建华
,
孙兰
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.018
采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT).PMZT薄膜具有优良的铁电性.在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为.这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极化过程中产生的内建偏压电场是由Mn的掺杂引起的.当薄膜厚度保持不变时候,PMZT薄膜的剩余极化(Pr)和平均矫顽电场(Ec)随着锰掺杂浓度的增大而减小.在低频下,PMZT薄膜的介电常数随着锰的掺杂浓度的增加而减小.瞬时电流随着时间的呈指数衰减,最后到达饱和的稳态值.样品的漏电流密度随着电压的增加而近似地线性增加,显示出欧姆特性.在相同电压下,漏电流密度随着Mn掺杂浓度的增加而增加.
关键词:
铁电薄膜
,
剩余极化
,
介电特性
王伟
,
胡星
,
毛翔宇
,
陈小兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01263
采用固相反应法,制备了Bi5Fe1-xCoxTi3O15(BFCT-x,x=0.0～0.6)陶瓷样品.掺杂后样品的剩余磁化强度(2Mr)和剩余极化强度(2Pr)都得到了提高,并以磁性能改善最为明显,在室温下显示为铁磁性.BFCT-0.5样品的磁化强度达到2.3 mA·m2/kg,比未掺杂高两个数量级.样品铁磁性的增强可能来源于Fe-O-Co耦合.样品的铁电性能随掺杂量的变化则表现为增强、减弱、再增强趋势.这一趋势是由掺杂导致的晶格畸变、电荷补偿以及共价键的变化所共同决定.
关键词:
多铁陶瓷
,
剩余磁化
,
剩余极化
