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高压扭转法对SiCp-Al基复合材料颗粒分布的影响

李晓 , 李萍 , 薛克敏 , 王成 , 章凯

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.02.012

采用高压扭转(High-Pressure Torsion,HPT)工艺制备SiCp-Al基复合材料.通过显微组织的定性分析及样方法的定量计算,深入研究不同工艺参数对SiC颗粒分布的影响规律,结果表明:采用高压扭转法可以直接将8.75%(体积分数)SiC-Al混合粉末制备成金属基复合材料.通过金相分析得出:SiC颗粒在试样不同扭转半径处分布情况具有差异:工艺参数(温度、压力、圈数)对SiC颗粒分布有重要影响,结合样方法对颗粒分布情况的定量分析得出:随着扭转圈数、压力、扭转半径的增大,剪切作用增强,SiC颗粒分布均匀性提高;变形温度升高,基体流动性提高,颗粒分布均匀性得到改善.

关键词: 高压扭转 , SiCp-Al基复合材料 , 显微组织 , 样方法 , 剪切应变

剪切应变模式下超细共析片层组织演变研究

夏少华 , 王佳 , 田刚 , 王经涛

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.01.002

利用等径角挤压法ECAP(Equal Channel Angular Pressing)对具有超细共析片层结构的Zn-22%Al(质量分数,下同)合金进行8道次变形,大部分片层转变为双相等轴晶,晶粒尺寸约为1.6 μm.该转变发生是由于ECAP过程中材料承受剪切应变,应变能累积诱发再结晶,从而形成等轴晶双相结构.这与片层结构经以施加正应变为主的传统压力加工方法处理所获得的微观组织有显著区别.

关键词: 超细共析片层 , 等径角挤压 , 剪切应变 , 等轴双相晶

纳米孪晶Cu中局部剪切应变诱导的退孪生行为*

白敬胜 , 卢秋虹 , 卢磊

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00503

对择优取向纳米孪晶结构Cu样品进行室温轧制变形. 微观结构研究发现, 当变形压下量为15%时, 样品中出现了与轧制方向呈30o~45°方向(最大剪切应力方向)分布的退孪生带. 退孪生带中孪晶片层明显粗化, 孪晶界上出现大量Shockley位错. 塑性变形过程中较小应变时, 纳米孪晶Cu中局部退孪生机制是协调局部剪切应变的主要机制.

关键词: Cu , 纳米孪晶 , 轧制形变 , 退孪生 , 剪切应变

纳米孪晶Cu中局部剪切应变诱导的退孪生行为

白敬胜 , 卢秋虹 , 卢磊

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00503

对择优取向纳米孪晶结构Cu样品进行室温轧制变形.微观结构研究发现,当变形压下量为15%时,样品中出现了与轧制方向呈30°~45°方向(最大剪切应力方向)分布的退孪生带.退孪生带中孪晶片层明显粗化,孪晶界上出现大量Shockley位错.塑性变形过程中较小应变时,纳米孪晶Cu中局部退孪生机制是协调局部剪切应变的主要机制.

关键词: Cu , 纳米孪晶 , 轧制形变 , 退孪生 , 剪切应变

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