王守坤
,
袁剑峰
,
郭总杰
,
郭会斌
,
刘杰
,
郑云友
,
贠向南
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0801
对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。
关键词:
薄膜晶体管
,
加强型阴极耦合等离子体
,
有源层
,
非晶硅膜
,
均一性
