宋词
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杭寅
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徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.018
基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮.ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高.
关键词:
氧化锌
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晶体生长
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半导体
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水热法
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助熔剂法
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气相法
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坩埚下降法
刘丽娟
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徐滔
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王晓洋
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陈创天
人工晶体学报
本文采用自发成核助熔剂法生长深紫外非线性光学晶体RbBe2 BO3F2 (RBBF).研究了不同助熔剂体系的黏度对自发成核的影响,采用Rb2O-NaF-B2O3体系获得了厚度超过2.5mm的大块透明RbBe2 BO3F2晶体.研究了晶体的热学性能,包括熔点、比热、热膨胀系数和热导率,并与KBBF同族晶体进行了比较.在3～300℃温度范围内,RBBF晶体比热是0.70～0.95 J/g·K,大于CBBF晶体.测得RBBF晶体沿c轴的热膨胀系数是z=47.16×10-6 K-1,在298 K时沿c轴的热导率是3.04W/m·K.
关键词:
RbBe2BO3F2晶体
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助熔剂法
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自发成核
,
热性能
王永政
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李静
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王继扬
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韩树娟
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郭永解
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赵兰玲
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张洋
人工晶体学报
采用助熔剂自发成核法,以Li2CO3-2MoO3为助熔剂,生长出了Yb∶ NdPO4晶体.通过X射线粉末衍射和X射线能谱技术对所得的晶体进行了表征.结果表明,少量Yb3+掺入到了NdPO4晶体中,但并未改变NdPO4晶体的晶格结构.比较了Yb∶ NdPO4晶体和NdPO4晶体室温下的透过光谱.测量了室温下晶体的荧光光谱,泵浦光波长为332 nm.结果表明晶体的最强荧光发射峰位于995nm,归属于Yb3+从激发态2F5/2到基态2F7/2的电子跃迁.1059nm的发射峰归属于Nd3+从4 F3/2到4I11/2的电子跃迁.Nd3+的发射峰强度较弱,表明在室温下晶体中主要发生了Nd3+ →Yb3的能量传递.
关键词:
高钕浓度晶体
,
助熔剂法
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单晶生长
,
光谱
林啟维
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何超
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龙西法
人工晶体学报
采用高温助熔剂法首次成功生长出了Pb(Yb1/2Nb1/2) O3-Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 (PYZNT)三元铁电单晶,并对晶体组分、介电、铁电和压电性能进行了研究.结果表明,晶体为纯三方钙钛矿相,实际组分为0.68PYN-0.22PZN-0.1PT.分别对晶体的介电,铁电和压电性能进行研究.介电常数ε'和介电损耗tanδ对温度和频率表现出典型的弛豫行为.晶体的居里温度TC为80℃.由于反铁电体PYN含量较高,晶体具有非常大的矫顽场,在100kV/cm的外电场条件下极化还不能反转,因而无法得到饱和的电滞回线.在未极化条件下,测得晶体的压电常数d33为78 pC/N.
关键词:
PYZNT
,
助熔剂法
,
介电性
,
铁电性
,
压电性
谢东华
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赖新春
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陈秋云
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张延志
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徐钦英
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罗丽珠
稀有金属材料与工程
采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究.结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好.UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2) nm,c=0.67298(3) nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证.
关键词:
UFeGa5
,
助熔剂法
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晶体结构
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Rietveld方法
韩树娟
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王继扬
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李静
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郭永解
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王永政
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赵兰玲
人工晶体学报
研究在用助熔剂法生长BaBiBO4晶体的过程中,熔体分层对晶体生长的影响.以Li2Mo3O10作为助熔剂,采用自发成核和顶部籽晶两种方法来生长晶体.对于这两种方法得到的晶体,用X射线粉末衍射及拉曼光谱进行了表征,结果显示,在晶体生长过程中,由于熔体分层,导致通过自发成核和顶部籽晶分别得到BaMoO4多晶和LiBaB9O15单晶两种不同的物相.
关键词:
晶体生长
,
助熔剂法
,
熔体分层
,
拉曼光谱
万松明
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傅佩珍
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吴以成
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王俊新
,
郑峰
,
官向国
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周惠琼
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陈创天
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.002
本文通过X射线衍射(XRD)分析、差热分析(DTA)和化学分析研究了CaLa2B10O19(LCB)晶体中的包裹体及在晶体生长过程中包裹体产生的原因.说明了包裹体的主要成份是LaB3O6,高温溶液中B2O3的挥发是造成包裹体产生的主要原因.为消除包裹体的产生,选择了合适的助溶剂,分别以100mol% CaB4O7和50mol% B2O3和150mol% CaB4O7为助溶剂生长出了一定尺寸、光学质量较高的LCB晶体.
关键词:
助熔剂法
,
LCB晶体
,
非线性光学晶体
,
包裹体
段玉
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路贵民
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宋兴福
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孙淑英
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于建国
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00364
以六水氯化镁和硼砂为原料,以氯化钠、氯化钾作为助熔剂,通过熔盐法制备出长为200～800μm,最大长径比为250,品质均匀的硼酸镁晶须.采用XRD分析、光学显微和SEM观察,研究产物的结构和形貌,并研究不同n(B)/n(Mg)、反应温度和时间对硼酸镁晶须生长过程及质量的影响,结果表明,反应的最佳条件是n(B)/n(Mg)=3∶1、反应温度为900℃、恒温时间为6h.根据XRD分析,表明Mg2B2O5晶须的生成经过中间产物方硼石Mg3B7O13Cl的转化过程,晶须生长需要一个富硼的环境.晶须的生长机理符合L-S机理.
关键词:
硼酸镁晶须
,
助熔剂法
,
n(B)/n(Mg)
,
L-S机理
谢东华
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赖新春
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谭世勇
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张文
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刘毅
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冯卫
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张云
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刘琴
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朱燮刚
稀有金属
采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb2单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热容等性质.研究表明,中等关联强度的USb2中的5f电子具有巡游和局域双重特征.USb2中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构.在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化.在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙.在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响.
关键词:
USb2
,
助熔剂法
,
磁化率
,
输运性质
