马志华
,
柴跃生
,
孙钢
,
张敏刚
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2005.02.022
半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景.对半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍.从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向.
关键词:
化合物半导体
,
镶嵌纳米薄膜
,
射频磁控溅射
,
非线性光学性质
余晓艳
,
马鸿文
,
杨静
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.020
Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.
关键词:
CuInSe2
,
光电材料
,
晶体生长
,
生长方法
,
化合物半导体
张永刚
,
刘天东
,
朱诚
,
洪婷
,
胡雨生
,
朱福英
,
李爱珍
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.020
研制了InGaP/GaAs串接太阳电池,结果表明,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28 ℃),填充因子在79%～81%之间,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论.
关键词:
光伏
,
串接太阳电池
,
化合物半导体
,
InGaP/GaAs
张永刚
,
陈建新
,
陈意桥
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.039
采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA,在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K,并表现出较好的单纵模特性.
关键词:
量子阱结构
,
半导体激光器
,
化合物半导体
