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Rh(111)表面上CO和O共吸附的密度泛函理论计算研究

杨明媚 , 包信和 , 李微雪

催化学报

采用密度泛函理论对Rh(111)表面上CO和O的吸附和共吸附进行了系统的研究,计算了三类不同的共吸附结构. 从吸附能和化学位移的角度,通过与已有实验结果对比,推断出可能存在的吸附构型. CO和O之间存在较大的排斥作用,在表面上竞争吸附. 电子结构分析发现,这种排斥作用来源于CO和O之间与Rh的d轨道成键的竞争. 用密度泛函理论计算的化学位移与实验测量结果一致,说明化学位移的理论计算能辅助对表面结构的预测.

关键词: 密度泛函理论 , 一氧化碳 , , 吸附 , 化学位移

有机前驱体法裂解制备SiBCN陶瓷及其表征

李亚静 , 李婧 , 刘洪丽 , 张跃

人工晶体学报

采用固态核磁共振(NMR)为主要研究手段,FT-IR,XRD等作为辅助方法对陶瓷前驱体高温裂解制备的SiBCN陶瓷的结构进行分析和表征.研究表明SiBCN陶瓷是非晶结构,并且SiBCN陶瓷结构中存在Si四面体结构,与非晶的氧化硅中硅氧四面体的结构相类似;SiBCN陶瓷前驱体中C-C键,Si-C键,Si-N键以及C-B-C键经过高温裂解后保留在SiBCN陶瓷结构中;SiBCN陶瓷中的硼原子与其它原子形成的是平面三角结构,但是前驱体向陶瓷转化过程中,由于季碳的产生,空间位阻增大,围绕中心碳发生了偏转以降低产生季碳造成的应力增大,这样的偏转改变了一部分硼的空间结构,使硼原子不在一个平面内而使化学位移发生改变.

关键词: 核磁共振 , SiBCN , 有机前驱体 , 化学位移

Rubrene/TPD表面及其界面的AFM和XPS研究

冷重钱 , 李海蓉 , 李尧 , 高鹏杰

功能材料

在indium-tin-oxide(ITO)玻璃上采用多源蒸发的方法制备了红荧烯(Rubrene)/TPD样品.由原子力显微镜(AFM)得到的表面形貌图显示Rubrene膜具有良好的均匀性.利用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了两种材料表面和界面的电子态.由Rubrene/TPD的表面分析可知,C1s精细谱中有3个峰,最强的峰是由氧化造成的,而不是对应于芳香碳(284.55eV).空气中的O2和H2O扩散到样品里形成O1s峰.用氩离子束溅射剥蚀表面,随着时间的增长,芳香碳对应的峰越来越强,282.45和289.62eV处的峰则迅速消失,当溅射时间超过4920s时,在284.7eV处引入了一个新的峰,对应于C-N键.O1s峰迅速减弱是因为氧沾污的去除.N1s谱中的N-C键缓慢增强,到达界面附近时峰的强度变得稳定.C1s,N1s和O1s谱中都有峰发生化学位移.

关键词: AFM , XPS , Rubrene/TPD表面及其界面 , 化学位移

环氧树脂的NMR表征

冀克俭 , 刘元俊 , 张银生 , 邓卫华

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2000.01.004

用1H、13C核磁共振波谱对二酚基丙烷环氧树脂E-51、缩水甘油胺型环氧树脂AG-80、脂环族缩水甘油酯TDE-85的结构进行了表征,并通过二维COSY谱及1H-13C化学位移相关谱对各共振峰进行了指认.

关键词: 核磁共振波谱 , 环氧树脂 , 化学位移 , NMR

溅射SiC薄膜的XPS分析

汤海鹏 , 王英华 , 田民波 , 李恒德

材料研究学报

用XPS 技术对射频溅射SiC 薄膜的结构特征进行了分析。测定了以Si(2p)和C(1s)峰的相对移动定义的化学位移和谱中等离子体激元损失峰的特征损失能量。测定的结果揭示了该薄膜的结构特点,从而对其化学键的性质、成分和缺陷有了进一步的认识。

关键词: SiC,射频溅射薄膜 , RF-sputtered film , chemical shift

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