张强
,
赵梦强
,
黄佳琦
,
骞伟中
,
魏飞
催化学报
通过浸渍及水热处理获得MgO负载的Fe基催化剂,并将其用于化学气相沉积过程裂解甲烷获得碳纳米管. 结果表明,单/双/多壁碳纳米管可选择性地生长在Fe负载量不同的Fe/MgO催化剂上. 当Fe负载量仅为0.5%时,铁原子在载体表面烧结为0.8～1.2 nm的铁颗粒,碳在这种小颗粒上以表面扩散为主,导致单壁碳纳米管形成,并且单壁碳纳米管的选择性高达90%. 当Fe负载量提高到3%时,铁原子聚集成约2.0 nm的颗粒,在化学气相沉积中生长碳纳米管时,碳在Fe催化剂颗粒中的体相扩散的贡献增大,在表相扩散和体相扩散的共同作用下,双壁碳纳米管的选择性显著增高. 当进一步增加Fe负载量时,铁原子烧结形成1～8 nm的颗粒,经过化学气相沉积,在催化剂上生长了单、双、多壁碳纳米管. 随着Fe在MgO载体上负载量的增加,管径、管壁数以及半导体管的含量都增加. 本研究提供了一种适合大批量选择性生长单/双/多壁碳纳米管的方法.
关键词:
碳纳米管
,
化学气相沉积
,
铁
,
氧化镁
,
负载型催化剂
,
微结构
,
拉曼光谱
朱宏喜
,
顾超
,
薛永栋
,
任凤章
,
毛卫民
材料保护
为了研究化学气相沉积（CVD）金刚石薄膜生长过程中{100}织构的形成机理，采用x射线衍射、电子背散射衍射和扫描电镜研究了CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、微区晶界分布和表面形貌。结果表明：金刚石薄膜以{111}面或{100}面为生长前沿面都能够形成{100}织构，但形成的表面形貌不同；通过吸附CH3-和CH3-在{111}面堆积碳原子时，通过{111}面的层层堆垛形成{100}面，且{100}面平行薄膜表面，暴露在晶粒表面的晶面只有{111}面；通过吸附CH2^2-在{100}面上堆积碳原子时，形成的{100}面平行于薄膜表面且作为晶粒大部分表面，晶粒显露的侧面为{111}面。
关键词:
金刚石薄膜
,
化学气相沉积
,
{100}织构
,
形成机理
,
形貌
,
晶体生长
,
生长过程
王守坤
,
袁剑峰
,
郭会斌
,
郭总杰
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0930
本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。
关键词:
薄膜晶体管
,
化学气相沉积
,
栅极绝缘层
,
有源层
,
非晶硅膜
,
氧化铟锡
,
电学特性
吴永
,
王伟
,
刘晓瑞
中国有色金属学报
联系生产实际对西门子法三氯氢硅氢还原反应体系的反应做了归类分析,选用可靠适用的热力学基础数据,设计合理计算方案,计算分析16个反应在反应温度区及附近温度区的吉布斯自由能和标准平衡常数数值,利用反应耦合理论提供了将SiHCl3(g)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)作为主反应的热力学依据,确认该主反应与关键组分SiHCl3(g)的两个热分解生成有Si(s)和SiCl4(g)的反应构成的平行反应为生成Si-CVD的主要反应.在此基础上,应用L-H均匀表面吸附理论,借助非均相气-固相催化反应模型方法,导出该还原Si-CVD过程的本征速率方程-rAs=ksc1cA +ksc2cA2+ksc3cA4,进而线性化变换为等价的拟一级不可逆反应动力学模型-RAS=ksc,djcA,dj(简写为-RAss=kscccA),便于动力学参数测定和后续建立宏观动力学模型.
关键词:
反应工程
,
多晶硅
,
西门子法
,
三氯氢硅氢还原反应
,
化学气相沉积
,
热力学分析
,
本征动力学模型
王俊文
,
孙彦平
,
梁镇海
,
徐海萍
,
樊彩梅
,
陈新谋
稀有金属材料与工程
采用RF-PCVD法,以TiCl4+O2为反应体系,制备出纳米级的TiO2粉体.经TEM,XRD及粒度分布仪测试表明:粉体呈近球形,为锐钛矿型和金红石型的混晶体,粒径范围为15 nm-45 nm,团聚后,粒径≤116 nm的粉体占90%,并对纳米粉体的形成、分布和晶型进行了初步探讨.苯酚降解实验表明,TiO2粉体具有明显的光催化活性.
关键词:
高频等离子体
,
化学气相沉积
,
二氧化钛
,
光催化
王传新
,
汪建华
,
满卫东
,
王升高
,
马志斌
,
康志成
,
吴素娟
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2003.02.003
在微波等离子体化学气相沉积装置中,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si(100)面上的偏压形核过程中,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响,研究结果表明:形核密度随形核时间的增加而增加,适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核,而甲烷浓度的影响很小.正交试验所得的最佳形核条件为偏压-150V;时间12min;气压4kPa;CH4比率5%,在该条件下金刚石的形核密度达到1010个/cm2.
关键词:
化学气相沉积
,
正交试验
,
金刚石
,
形核
白云帆
,
张晨阳
,
刘杨
,
龚晓丹
,
任山
材料导报
ZnO一维纳米材料由于在压电、光电等方面的优良性质,正引起广泛的关注.介绍了目前不用催化剂合成ZnO一维纳米结构的几种方法,其中包括热蒸发方法、金属-有机物化学气相沉积方法(MOCVD)和自组装生长等,同时对合成的一维ZnO纳米结构进行了分析,简单地比较了这几种制备方法的优劣.
关键词:
ZnO一维纳米结构
,
热蒸发
,
化学气相沉积
,
自组装
刘树和
,
白朔
,
李峰
,
孙可伟
材料导报
主要介绍了CVD碳包覆工艺、包覆层种类和物理性质(结构、含量和分布)对电极材料电化学性能(首次容量、首次库仑效率、循环和倍率充放电性能等)的影响,在此基础上提出了尚需深入研究的问题,并对CVD法碳包覆改性电极材料的发展趋势和前景进行了讨论.
关键词:
锂离子电池
,
电极材料
,
热解炭
,
纳米碳管
,
化学气相沉积
李义锋
,
佘建民
,
苏静杰
,
唐伟忠
,
李效民
,
徐小科
人工晶体学报
利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置.采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO (100)基片.采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir(100)/MgO (100)基片上实现了金刚石异质外延形核.扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108～109 cm-2.
关键词:
金刚石
,
异质外延
,
化学气相沉积
,
微波等离子体
,
偏压加强
向阳
,
李伟
,
王松
,
陈朝辉
人工晶体学报
为提高C/SiC复合材料的抗氧化性能,设计了致密的CVD-SiC涂层和多孔的熔盐法Zr-Si-C涂层相间的涂层体系.通过实验测试,建立了该涂层的生长模型,并考核了材料在1773 K的抗氧化性能.氧化结果显示,材料在氧化2h后的失重率为仅0.67％,弯曲强度保留率为99.7％,不同组成相间的结构涂层呈现出优异的抗氧化性能.
关键词:
陶瓷基复合材料
,
化学气相沉积
,
熔盐
,
涂层
,
氧化
