郭会斌
,
吕反修
,
李成明
,
黑立富
,
王耀华
材料热处理学报
为了提高金刚石膜的红外透过率和高温抗氧化性能,采用纯钇(Y)金属靶,使用直流反应磁控溅射法在光学级金刚石自支撑膜表面制备了Y2O3薄膜.对比研究了光学级金刚石自支撑膜和Y2O3/Diamond/Y2O3复合窗口的高温抗氧化性能,及氧化前后样品表面形貌和红外透过率的变化情况.热分析、扫描电子显微镜和傅立叶变换红外光谱仪的研究结果表明Y2O3薄膜对光学级金刚石膜有非常好的抗氧化防护性能,在高达950℃的温度暴露30s后对光学级金刚石膜表面没有造成明显损伤,且仍能保持良好的增透效果(透过率超过80%).
关键词:
化学气相沉积(CVD)
,
金刚石自支撑膜
,
Y2O3薄膜
,
抗氧化性能
师小萍
,
于广辉
,
王斌
,
吴渊文
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.012
利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征.主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处理Cu箔可以腐蚀Cu箔表面的各种杂质提高Cu箔的洁净度从而提高石墨烯的结晶质量,优化CH4和H2的气体流量可以提高石墨烯的单层性和均匀性.并最终在CH4∶H2=200∶0 sccm条件下,在氨水处理过的Cu箔上获得了面积1.5 cm×1.5 cm的均匀的单层石墨烯.
关键词:
石墨烯
,
化学气相沉积(CVD)
,
表面处理
,
拉曼
朱骏
,
马春红
,
郭晓菲
,
朱鸿民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.012
在氩气气氛中,在950℃条件下用氢气还原相应的气态氯化物分别制取了铌和钽的超细微粉末.X射线衍射(XRD)分析结果表明,对于五氯化铌还原产物为金属铌与铌氢化物的混合物,对于五氯化钽还原产物则为金属钽;透射电子显微镜(TEM)分析显示,粉末产物颗粒细小且分布比较均匀,粉末产物的粒径在30～40 nm之间.
关键词:
化学气相沉积(CVD)
,
氢还原
,
铌
,
钽
,
超微粉末
张伟华
,
成来飞
,
张立同
,
杨文彬
,
刘永胜
,
徐永东
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00774
采用化学气相沉积法(CVD)制备单质B和BCx分别对SiC涂层进行改性, 在二维碳纤维增强碳化硅(2D C/SiC) 复合材料表面制备SiC/B/SiC和SiC/BCx/SiC两种多层自愈合涂层, 并利用扫描电镜对多层涂层表面和断面进行显微分析. 700℃静态空气条件下氧化结果表明: CVD-B和CVD-BCx改性层氧化后生成的B2O3玻璃相可以较好地封填涂层微裂纹, 氧化动力学受氧通过微裂纹和B2O3玻璃层的扩散共同控制; SiC/BCx/SiC-C/SiC复合材料氧化过程中氧化失重率更小, 氧化10h后的强度保持率更高.
关键词:
化学气相沉积(CVD)
,
B
,
BCx
,
self-healing coating
,
oxidation behavior
郑文景
,
周万城
,
罗发
,
于新民
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.11.009
采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响.采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析.结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω~(-1)·cm~(-1)升到6.289Ω~(-1)·cm~(-1);SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150.实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关.认为这是SiC纤维表面沉积的C层使纤维电导率增大所致.直流电导损耗足其主要损耗机制.
关键词:
化学气相沉积(CVD)
,
SiC纤维
,
C涂层
,
体电导率
,
拉曼光谱
,
介电性能
左新章
,
张立同
,
刘永胜
,
成来飞
,
曾庆丰
复合材料学报
利用FactSage software软件进行热力学计算,获得了CH3SiCl3(MTS)-BCl3-H2体系在化学气相沉积环境中Si-B-C陶瓷的热力学产物图和相图.讨论了在高温(900～1100℃)、低压(2 kPa、5 kPa和12 kPa)条件下系统总压、温度和反应气体比例等参数对主要产物产率的影响.结果表明,在所研究的参数范围内,系统总压、温度和气体比例对B4C相的产率影响比较明显,而对SiC相的产率影响不明显.气体比例对C相的产率影响比较明显,温度和系统总压对C相的产率影响不明显.各参数的变化对主要气态产物(BHx、CxHy、SiClx等)的产率有一定程度的影响.稀释气体分压的增加有利于富B相的生成,MTS分压的增加有利于SiC的生成.
关键词:
热力学计算
,
Si-B-C陶瓷
,
产物分析
,
化学气相沉积(CVD)
曹章轶
,
孙卓
,
郭平生
,
陈奕卫
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.013
采用低压化学气相沉积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400～1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜,研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌和结构的影响.随乙炔流量的增加,碳纳米管薄膜厚度和产量增大.电子显微镜和拉曼光谱研究结果表明,在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳米管直径分布范围最小(10～100nm),石墨化程度最高,缺陷密度最小,晶形最完整.随着乙炔流量的增大(30～90sccm),碳纳米管的直径分布范围增大(10～300nm),石墨化程度降低,缺陷密度增大,非晶化程度增加.因此,通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构.
关键词:
碳纳米管(CNTs)
,
化学气相沉积(CVD)
,
扫描电镜(SEM)
,
透射电镜(TEM)
,
拉曼光谱
