董阳春
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王领航
,
介万奇
人工晶体学报
研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.
关键词:
碲铟汞
,
缺陷
,
腐蚀坑
,
半导体材料
张喜田
,
王玉玺
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.010
利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.
关键词:
离子注入
,
光致发光
,
配位体
,
稀土元素
,
半导体材料
,
磷化铟
汪寅华
,
陈卉
,
金义凤
,
柯昌美
,
汪厚植
玻璃钢/复合材料
doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2005.06.008
以自制的高固体分热固性丙烯酸树脂为基质,以醋酸镉、硫代乙酰胺等为原料,在丙酮和甲醇的水溶液中,一步法非常简便地制备了平均粒径为7nm的在聚合物基体中单分散的CdS纳米粒子.对CdS/聚丙烯酸酯复合材料,应用X-射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)进行了表征.研究结果表明,金属离子首先与聚合物的羧基络合,生成硫化物纳米微粒后,聚合物又包覆在纳米微粒的表面形成保护层.
关键词:
聚丙烯酸酯
,
硫化镉
,
无机-有机纳米杂化物
,
半导体材料
卢波辉
,
赵新兵
,
倪华良
,
吉晓华
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.03.004
采用真空单轴热压( HUP)方法制备了 Bi2Te3基热电材料.结果表明, HUP试样的密度在原始区熔材料的 97%以上.所有 HUP试样的剪切强度都在 21MPa以上,与区熔 Bi2Te3基材料 (001)解理面的强度相比,提高 4倍左右.电学性能测试发现, HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化.实验发现,相对于区熔试样, p型 HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而 n型 HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动.
关键词:
半导体材料
,
热电材料
,
真空热压
,
Bi2Te3
,
强度
王芸
,
汤滢
,
谢长生
,
夏先平
材料导报
电化学阻抗谱是电化学研究中的有效工具,在材料研究中有着广泛的应用.综述了电化学阻抗谱在金属材料、金属/聚合物复合材料、半导体材料以及其他材料中的应用.从电化学阻抗谱中可以获得材料的结构与性能的变化以及界面性质等信息,如金属材料中的电荷传递电阻、界面电容等参数,金属/聚合物复合材料中的涂层电容、涂层电阻等参数以及半导体材料中电子转移和复合性质.
关键词:
电化学阻抗谱
,
金属材料
,
金属/聚合物复合材料
,
半导体材料
王领航
,
介万奇
材料科学与工艺
以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F(43)m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.
关键词:
碲铟汞
,
晶体生长
,
垂直Bridgman法
,
半导体材料
,
近红外光电探测器
王领航
,
介万奇
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.027
以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ 15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行了分析,结果表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明,所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.
关键词:
碲铟汞
,
晶体生长
,
垂直Bridgman法
,
半导体材料
,
近红外光电探测器
于丽杰
,
曲凤玉
,
刘文成
,
蔡伟
,
武祥
材料科学与工程学报
用热蒸发气相沉积的方法合成了大量纤锌矿结构的ZnO微米钉.用X射线衍射仪,扫描电子显微镜,能谱仪和荧光分光光度计等测试手段对合成产物的结构、形貌和发光性质进行了详细研究.结果表明合成的微米钉尺寸均一,产量高,呈六棱柱形状,表面光滑.每个微米钉的顶部都有一个微米盘,微米钉的直径从顶部到根部逐渐变细,即从2微米逐渐减小到500纳米.同时对合成微米钉的生长机制进行了初步探讨.光致发光谱显示有三个发射峰,表明合成的ZnO微米钉结构在纳米光电子学领域有重要的应用价值.
关键词:
ZnO
,
半导体材料
,
微米钉
,
光致发光
柯昌美
,
汪厚植
,
赵惠忠
,
罗炬
,
袁媛
,
李轩科
材料导报
以环氧树脂E51为基质,醋酸镉、醋酸铅、硫代乙酰胺等为原料,在丙酮、甲醇的水溶液中,一步法制备了在环氧树脂基体中单分散的CdS、PbS纳米粒子;对CdS、PbS/环氧树脂E51复合材料用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱(UV-Vis)进行了表征,研究结果表明:高粘度的环氧树脂对纳米粒子的形成和分散起着至关重要的作用.
关键词:
环氧树脂
,
硫化镉
,
硫化铅
,
有机-无机纳米复合材料物
,
半导体材料
武晓威
,
冯玉杰
,
刘延坤
,
韦韩
材料科学与工艺
采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5 h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2 h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10 μm;在中红外(3～5 μm)和远红外(8～14 μm)波段均具有较低的红外发射率.
关键词:
红外隐身
,
半导体材料
,
锌铝氧化物(ZAO)
,
红外发射率
