孙彦
,
方志丹
,
龚政
,
苗振华
,
牛智川
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.040
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.
关键词:
量子点
,
应力缓冲层
,
半高宽
,
光致荧光谱
张聪惠
,
宋薇
,
朱姗姗
,
王耀勉
,
王洋
稀有金属材料与工程
对工业纯锆进行表面机械研磨处理(SMAT),实现其表面纳米化,并引入残余压应力场.采用偏光显微镜(PM)、透射电子显微镜(TEM)对SMAT处理试样显微组织进行表征,利用X射线应力仪测试不同循环加载周次下距试样表面不同深度处宏观残余应力.研究不同循环加载周次下距表层不同深度处X射线衍射峰半高宽的变化特征,并采用Voigt函数拟合X射线衍射峰,得到微观应变和位错密度的分布特征.结果表明:循环加载初期残余应力释放率最大,约为25％,随着循环加载周次增加残余应力释放率趋于稳定;不同循环加载周次下,随距表层深度增加,X射线衍射峰半高宽、微观应变和位错密度逐渐降低后趋于稳定;随着位错密度降低,残余压应力逐渐增加,位错密度值稳定于约2×1010cm-2时所对应的深度,和最大残余压应力对应的深度基本一致.循环载荷下残余应力释放是通过微观塑性变形过程中位错运动来实现.
关键词:
工业纯锆
,
循环加载
,
残余应力释放
,
半高宽
,
位错密度
王欣
,
李臻熙
,
陆峰
,
裴传虎
,
杨清
,
宋颖刚
材料热处理学报
对4种表面状态(磨削1,磨削2,磨削1+喷丸以及磨削2+喷丸)的钛合金TC4开展了表面完整性研究.测试了4种表面状态的粗糙度、残余应力和半高宽,并确定了室温疲劳极限.结果表明,磨削工艺对于钛合金TC4的半高宽和疲劳性能有较大影响,不同工艺磨削后X射线衍射峰半高宽分别为2.1.和2.5.,旋转弯曲疲劳极限分别为406 MPa和432 MPa;而喷丸后,由于表面强化层深度大于磨削影响层,残余压应力和加工硬化的作用大幅度提高了疲劳极限,并使不同加工状态的试样疲劳性能趋近一致(585 MPa和594 MPa),消除了由于磨削方法不同导致的表面完整性差别.
关键词:
磨削
,
喷丸强化
,
半高宽
,
疲劳极限
马素媛
,
徐建辉
,
王东林
,
李家宝
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2005.02.012
对淬火和不同温度回火处理的37SiMnCrNiMoV超高强度钢和60Si2Mn弹簧钢的电解抛光表面和磨削表面的X射线衍射线的半高宽和显微硬度进行测量,并通过线形分析得到了两种表面的亚晶粒尺寸和微观应变.结果表明,随着回火温度的升高,电解抛光表面的半高宽和显微硬度均逐渐减小.比起电解抛光表面,高温回火试样磨削表面的亚晶粒尺寸减小、微观应变增大,使得其半高宽和显微硬度都增大了,它说明磨削表面得到了加工硬化.而低温回火试样磨削表面的亚晶粒尺寸减小,但微观应变也减小了,其显微硬度增大,半高宽却减小了.200℃回火37SiMnCrNiMoV钢磨削表面的屈服强度比电解抛光表面的高出约400MPa.显微硬度和屈服强度的提高说明磨削也使低温回火试样磨削表面得到加工硬化,其微观应变和半高宽的减小是异常的.文中讨论了这种异常减小的机制.
关键词:
磨削
,
显微硬度
,
半高宽
,
亚晶粒尺寸
,
微观应变
马素媛
,
徐建辉
,
贺笑春
,
覃明
,
李家宝
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.02.012
显微硬度和X射线衍射线半高宽常被用来表征强化表面的静强度及其在强化表面层内的分布.然而实验结果表明,对于两种经过磨削加工的硬状态钢铁材料,磨削塑性形变虽使其表层的显微硬度明显提高,却使其半高宽值大幅度减小.因此,X射线衍射线的半高宽不能正确的反映硬状态钢铁材料磨削影响层的强化效果.文中利用一个模型和X射线衍射线的线形分析结果来说明磨削塑性形变是通过降低微观应力从而使半高宽减小的.
关键词:
钢铁材料
,
半高宽
,
磨削
,
硬状态
,
塑性变形
康凌
,
刘宝林
,
蔡加法
,
潘群峰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.006
采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅GaN材料的光学性质.在室温下,InGaN材料带边峰位置为437.0 nm,半高宽为14.3 nm;GaN材料带边峰位置为363.4 nm,半高宽为9.5 nm.进行变温测量发现,随温度的升高,两种材料的发光强度降低,半高宽增大;GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象,与Varshini公式符合较好;InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移-蓝移-红移现象,这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子-空穴对的形成而造成的无序程度增加有关,对大于140 K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合,符合较好.
关键词:
InGaN
,
GaN
,
半高宽
,
红移
,
蓝移
,
黄带
张建华
,
杨瑜蓉
,
张水凤
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.03.014
以曙红(Eosin Y简称EY)染料为探针,测量一系列不同浓度的CTAB-EY水溶液体系可见吸收光谱,其光谱特征为EY最大吸收峰529～532 nm和肩峰506～508 nm叠合在一起,用Origin软件频谱分析软件包中的高斯多峰拟合工具实现了体系可见吸收光谱叠合峰的分峰拟合计算,给出了吸收峰线型参数峰面积(积分吸光度)、频移及半高宽;最大吸收峰与肩峰面积比(相对积分吸光度A2/A1)、频移(△λ1,△λ2)及半高宽(w1,w2)对CTAB浓度图形在cmc处发生突变.观察到可见吸收光谱半高宽对表面活性剂浓度的敏感性,并成功应用于cmc测定.
关键词:
十六烷基溴化铵
,
临界胶束浓度
,
分光光度法
,
高斯多峰拟合
,
半高宽
闫渊林
,
刘新国
,
付廷岩
,
戴中颖
,
马圆圆
,
黄齐艳
,
贺鹏博
,
申国盛
,
李强
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.01.105
为获得适用于HIRFL装置主动式点扫描束流配送系统配送的碳离子束，利用Monte Carlo (MC)工具SHIELD-HIT12A研究了配送距离和微型脊形过滤器结构周期对治疗室等中心处束斑半高宽(FWHM)和剂量平坦度的影响。模拟研究发现：束流配送距离越短，束斑FWHM越小，但剂量平坦度越差；微型脊形过滤器结构周期是影响剂量平坦度的关键因素，周期越小，剂量平坦度越好。通过模拟研究得出：在HIRFL装置重离子治疗终端将真空窗设置在距等中心距离小于125 cm时，采用结构周期为2 mm微型脊形过滤器可以满足主动式点扫描照射对束斑FWHM和剂量平坦度的要求。
关键词:
束流配送
,
点扫描
,
半高宽
,
剂量平坦度
,
微型脊形过滤器
马素媛
,
徐建辉
,
贺笑春
,
覃明
,
李家宝
金属学报
显微硬度和X射线衍射线半高宽常被用来表征强化表面的静强度及其在强化表面层内的分布. 然而实验结果表明, 对于两种经过磨削加工的硬状态钢铁材料, 磨削塑性形变虽使其表层的显微硬度明显提高, 却使其半高宽值大幅度减小. 因此, X射线衍射线的半高宽不能正确的反映硬状态钢铁材料磨削影响层的强化效果。文中利用一个模型和X射线衍射线的线形分析结果来说明磨削塑性形变是通过降低微观应力从而使半高宽减小的.
关键词:
钢铁材料
,
null
,
null
