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单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

刘训春 , 陈俊 , 王润梅 , 王惟林 , 李无瑕 , 李爱珍 , 陈建新 , 陈意桥 , 陈晓杰 , 杨全魁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008

制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5~3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.

关键词: 单电源 , InGaP/InGaAs , LNA

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