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浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

刘张李 , 邹世昌 , 张正选 , 毕大炜 , 胡志远 , 俞文杰 , 陈明 , 王茹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.001

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.

关键词: 控制电路 , 存储单元 , 单粒子效应 , 电荷损失

重离子在半导体器件中引起的单粒子效应

侯明东 , 甄红楼 , 张庆祥 , 刘杰 , 马峰

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.008

重离子引起的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一,利用加速器进行地面模拟是研究单粒子效应的重要手段. 概述了单粒子效应研究的历史和现状,讨论了单粒子效应研究的基本方法,最后简要介绍了在兰州重离子加速器上已开展的单粒子效应研究工作.

关键词: 单粒子效应 , 辐射损伤 , 软错误 , 加速器模拟

微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究

张庆祥 , 杨兆铭

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.015

研究了总剂量辐照对微处理器80C86及其外围芯片82C85单粒子效应敏感度的影响. 252Cf轰击80C86获得的单粒子效应截面在0-120 Gy(Si)剂量范围内没有明显的变化; 外围芯片82C85中发生的单粒子脉冲可能引起系统故障.

关键词: 单粒子效应 , 总剂量效应 , 微处理器 , 外围芯片

用重离子实验数据推算质子翻转截面和轨道翻转率

张庆祥 , 侯明东 , 刘杰

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2003.01.013

空间单粒子辐射环境主要由重离子和高能质子构成,但在地面利用两种离子评估器件单粒子效应敏感度成本太高,因此利用重离子实验数据推算质子敏感参数成为一个非常活跃的研究课题. 利用Barak经验公式,在重离子实验获得器件的σ-LET值曲线的基础上,计算了几种典型器件在不同能量下的质子翻转截面以及典型轨道上质子引起的翻转率,并同FOM方法预示的质子翻转率进行了比较,其结果将对卫星电子系统抗辐射加固设计具有重要参考价值.

关键词: 单粒子效应 , σ-LET值曲线 , 质子翻转截面 , 轨道翻转率

离子微束技术及其多学科应用

杜广华

原子核物理评论

通过微米孔准直或电磁聚焦技术可将加速器产生的MeV离子束形成微米尺寸的离子束斑(微束),从而用来研究固体和生物样品的微米空间分辨的材料信息和辐照响应。结合MeV离子微束的发展历史综述了微束技术和跨学科应用,包括利用微束开展具有空间分辨的离子束分析、单粒子效应、微纳加工和细胞辐射响应等研究。介绍了中国科学院近代物理研究所的高能重离子微束辐照装置,该装置成功地将总能量为1GeV的C离子在大气中聚焦为1μm×2μm的微米束斑。

关键词: 微束 , 微探针 , 离子束分析 , 单粒子效应 , 质子束刻写 , 定点单细胞照射

重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响

习凯 , 刘杰 , 张战刚 , 耿超 , 刘建德 , 古松 , 刘天奇 , 侯明东 , 孙友梅

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.081

随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大;单核能相同的不同种离子,原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次,通过模拟一款45 nm 静态随机存储器的单粒子翻转效应,说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时,多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降;在多位翻转率峰值和布喇格峰之间,多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低,在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。

关键词: 单粒子效应 , δ电子分布 , 多位翻转 , Geant4

一种改进的SRAM单粒子效应检测系统

童腾 , 苏弘 , 王晓辉 , 刘杰 , 张战刚 , 刘天奇 , 古松 , 杨振雷

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.170

中国科学院近代物理研究所材料研究中心开展了对静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)单粒子效应(Single Event Effects, SEEs)的深入研究。材料中心目前拥有的两套SRAM单粒子检测系统各自具有一定的局限性,所以又提出了一种改进的SRAM SEE检测方法,并研制了相关电路。该检测系统在兰州重离子研究装置(HIRFL)提供的束流辐射终端上进行了多次实验,获得了一批实验数据。其中包括129 Xe束流辐照条件下,对65 nm SRAM单粒子翻转的研究;12 C束流辐照条件下,对65,130和150 nm商用错误纠正编码加固SRAM SEE的研究;129Xe束流辐照条件下,对普通商用SRAM单粒子锁定的研究等。实验验证了该检测系统的有效性和可靠性,为开展SRAM SEE的研究提供了重要的检测平台,并为以后开展更复杂器件SEE的研究提供了实验经验和技术基础。

关键词: SRAM , 单粒子效应 , 检测系统 , 重离子

各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究

张战刚 , 刘杰 , 侯明东 , 孙友梅 , 苏弘 , 耿超 , 姚会军 , 罗捷 , 段敬来 , 莫丹 , 古松 , 刘天奇 , 习凯 , 翟鹏飞 , 曹殿亮

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195

重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形;“L”型和“田”型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后,对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。

关键词: 单粒子效应 , 静态随机存储器 , 各向异性布局 , 多位翻转

纳米FinFET器件的单粒子效应研究

刘保军 , 蔡理 , 董治光 , 徐国强

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.516

FinFET器件比主流CMOS技术表现出更多优势,如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性,基于ISE TCAD,考虑迁移率、量子效应、载流子重组、辐射效应等的影响,建立了一种纳米FinFET器件SEE的3D仿真模型。分析了工艺掺杂浓度、栅压、粒子能量、寄生电容及技术节点等对单粒子瞬态电流的影响,并探讨了其影响机制。基于此分析,找到了一些潜在的工艺加固技术,如降低源极掺杂浓度、增加漏极和衬底的掺杂浓度、减少粒子能量、降低栅压、优化寄生电容等。

关键词: FinFET , 单粒子效应 , 仿真 , 加固技术

PPAC在单粒子效应地面模拟实验中对束流均匀度测量的应用

蒋冬舜 , 孙友梅 , 马朋 , 段敬来 , 刘杰 , 耿超 , 侯明东 , 姚会军 , 罗捷

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.522

单粒子效应(SEE)加速器地面模拟需要离子束具有较好的均匀度,针对回旋加速器单粒子效应模拟的束流特点,建立了一套以位置灵敏平行板雪崩探测器(Parallel Plate Avalanche Counter, PPAC)为基础的均匀度探测系统并完成了带束测试,对它的结构、工作原理、均匀度获得方法及带束测试结果进行描述。为验证PPAC测量结果准确性,在带束测试过程中,前方同时放置PET膜测量穿过PPAC探测器的粒子分布,与离子径迹测量结果对比,给出PPAC的均匀度的测量误差在5%之内。探测器具有50 mm×50 mm的灵敏面积和小于1 mm的位置分辨,符合单粒子效应实验对束流均匀度测量的要求。

关键词: PPAC , 单粒子效应 , 地面模拟 , 束流均匀度 , 固体径迹探测器

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