石家纬
,
张素梅
,
齐丽云
,
胡贵军
,
李红岩
,
李永军
,
刘建军
,
张锋刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.026
通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.
关键词:
高功率
,
单量子阱
,
远结半导体激光器
,
老化
辛国锋
,
花吉珍
,
陈国鹰
,
康志龙
,
安振峰
,
冯荣珠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.027
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.
关键词:
高功率
,
金属有机化合物气相淀积
,
半导体激光器阵列
,
单量子阱
李忠辉
,
王向武
,
张宝顺
,
杨进华
,
张兴德
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.024
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.
关键词:
分别限制结构
,
单量子阱
,
激光器
