王丹
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余洲
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冀亚欣
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闫勇
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欧玉峰
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晏传鹏
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刘连
,
张勇
,
赵勇
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.03.025
综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响.
关键词:
CIGS电池
,
粉末冶金
,
单靶溅射
,
光电性能
