张思
,
马颖
,
周益春
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12047
采用第一性原理方法,模拟了应变对四方相BaTiO3(BTO)空位形成能的影响,并计算了应变和双空位共同作用下BaTiO3体系的极化.计算结果表明,应变改变了空位形成能,且在-3％到3％的应变范围内,氧空位的形成能逐渐减小,亦即压应变抑制了氧空位的形成,这与Ti-O键的变化有关.此外压应变在改变双空位形成能的同时,增大了体系的极化和极化偏移,对于1A和2A组合的双空位即使在-3％的应变下其极化偏移也只有1μC/cm2和0.3μC/cm2,而极化偏移是印记效应的表现,因此应变对印记效应的影响很小,可以忽略.
关键词:
应变
,
缺陷
,
极化
,
第一性原理
,
印记效应
