孟凡明
,
胡素梅
,
傅刚
,
周方桥
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.027
研究Ta2O5对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响,发现按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5配制的样品具有最低压敏电压(E10mA=1.2V·mm-1)、最大相对介电常数(εra=2.002×105)及较小非线性系数(a=2.6).考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求,Ta2 O5最佳掺杂量在0.085mol%与0.1mol%之间.
关键词:
TiO2基压敏陶瓷
,
压敏电压
,
非线性系数
,
介电常数
王春明
,
王矜奉
,
陈洪存
,
王文新
,
苏文斌
,
臧国忠
,
亓鹏
功能材料
研究了Na对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时, (Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm.样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因.对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.4mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景.本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因.
关键词:
碳酸钠
,
二氧化锡
,
压敏材料
,
肖特基势垒
,
压敏电压
王晓雪
,
李涛
,
陈镇平
材料导报
以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2％、0.5％、1％(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CATO)陶瓷样品.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对掺杂样品的微观形貌变化进行测量分析；利用一直流高压电源测试样品的J-E非线性特征；利用Anglent4294型精密阻抗分析仪测试样品的电介性能.掺杂后样品的晶格结构并未发生明显的改变,但是平均晶粒尺寸减小,晶界处富Cu相消失；纯CCTO的XRD图谱中出现了富Cu相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相；Eu2O3掺杂提高了样品内部的肖特基势垒高度,增加了势垒阻挡层的数目,使得样品的压敏电压和非线性系数明显提高,材料的压敏电阻性明显改善,电介-频率稳定性增强.
关键词:
非线性系数
,
压敏电压
,
电介常数
,
肖特基热垒
罗绍华
,
唐子龙
,
李红耘
,
闫俊萍
,
张中太
,
熊西周
稀有金属材料与工程
通过对样品压敏性能和介电性能的测定,研究了CeO2对Nb-TiO2电容-压敏电阻器的影响.研究发现,晶界处硅钛酸铈相的生成使CeO2对Nb-TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响.在1 350℃烧结条件下,掺杂量为0.4 mol%CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84 V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的相对介电常数(εγ=158 600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是1种具有较好潜力的新型电容-压敏电阻器.
关键词:
二氧化钛压敏电阻器
,
二氧化铈
,
压敏电压
,
非线性系数
,
复合功能
于晓华
,
荣菊
,
詹肇麟
,
王远
材料热处理学报
以ZnO粉末为主要原料,以TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷.将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量.采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能.研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4 μm,掺杂纳米TiO2高达30.5 μm;当TiO2掺杂量为1.5％ mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 mA及为非线性系数为20.1.
关键词:
ZnO压敏陶瓷
,
TiO2掺杂
,
压敏电压
,
非线性系数
,
漏电流
孟凡明
功能材料
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷.通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏电压、非线性系数及势垒高度的测定,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的半导化以及电学非线性特性的影响.结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒半导化,降低压敏电压.
关键词:
TiO2压敏陶瓷
,
压敏电压
,
非线性系数
,
半导化
,
势垒高度
陈俊宇
,
严继康
,
甘国友
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003
研究了V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷电学性能的影响.采用固相烧结方法制备V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品.利用XRD衍射仪检测物相和SEM测定显微结构.用压敏电阻直流参数仪测定V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品在不同烧结温度和掺杂量下的电学性能.结果表明:掺杂0.35 mol%的V2O5,XRD衍射仪没有检测到第二相的产生.随着SrCO3掺杂量以及烧结温度的增加,样品压敏电压和非线性系数都有不同的变化趋势.当烧结温度为1 300℃、Sr2+掺杂量为0.5 mol%时,样品的各项电学性能最优:V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品压敏电压达到16.3 V/mm,非线性系数α达到5.6.
关键词:
TiO2
,
烧结条件
,
共掺杂
,
压敏电压
,
非线性系数
李志祥
,
许高杰
,
李勇
,
王琴
,
孙爱华
,
段雷
,
李亚丽
,
蒋俊
稀有金属材料与工程
采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品,并通过XRD和SEM分析,以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究.结果表明:SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长,晶界相含量增加.电性能测试结果显示,SnO2的掺杂量在0～1.5 mol%内,击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增;非线性系数先增加后又减小,掺杂量为0.8 mol%的样品具有最大的非线性系数(α=8.3).并对以上的实验结果从理论上给予了分析.
关键词:
压敏电阻
,
非线性系数
,
压敏电压
