吴爽爽
,
莫兴婵
,
韦成峰
,
韦小圆
,
朱文凤
,
覃远东
,
刘来君
材料导报
采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3 Ti4 O12 (CaCu2.7Ti4 O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响.结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4 O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场强并且显著提高了其介电常数.采用肖特基热电子发射模型对其非线性特征和电学性能的变化机理进行了分析,认为耗尽层宽度是影响电学性能的主要因素.保温30 h的CaCu2.7Ti4 O12陶瓷有望作为低压压敏电阻应用于半导体电路中.
关键词:
CCTO陶瓷
,
电流-电压非线性
,
压敏电阻器
,
巨介电响应
李红耘
,
唐子龙
,
尧巍华
,
罗绍华
,
米佳
,
张中太
,
庄严
,
熊西周
功能材料
采用正交实验方法研究了掺杂Nb2O5、CeO2、SiO2、CaCO3等对TiO2压敏电阻陶瓷电性能的影响.利用XRD及SEM实验方法分析了样品的物相和微观形貌,发现有第二相产生.这种新的第二相的存在,对压敏电压有明显的影响.优选典型配方制得样品的主要电性能指标为:V1mA=10～20V,V10mA=20～30V,α=3～5,电容C=50～90nF,损耗tgδ＜0.8.
关键词:
二氧化钛
,
掺杂
,
压敏电阻器
,
电性能
季振国
,
王玮丽
,
毛启楠
,
席俊华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.011
本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标.分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系.结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阚值电压线性增大.因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压.
关键词:
ZnO薄膜
,
压敏电阻器
,
阈值电压
,
薄膜厚度
王矜奉
,
陈洪存
,
赵春华
,
高建鲁
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.010
研究了Pb3O4对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb3O4是调控SnO2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂.晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小.随着Pb含量的增加,SnO2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因.对样品的复阻抗进行了测量,发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50%Pb3O4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型,指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置.
关键词:
无机非金属材料
,
压敏电阻器
,
铅掺杂
,
二氧化锡
,
肖特基势垒
