邓咏桢
,
孔月婵
,
郑有炓
,
周春红
,
沈波
,
张荣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.012
通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化,Raman谱观察到两个声子峰位分别在619.5 cm-1(A1(TO))和668.5 cm-1(E2(high)).通过光学声子E2(high)的频移为13 cm-1计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为5.1 GPa,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6.7×10-3和εxx=-1.1×10-2,产生的压电极化电荷PPE=2.26×10-2 c·m-2,这相当于在Si的表面产生浓度为1.41×1013 c·cm-2的电子积累.同时,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散,在界面处形成了一个过渡层,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主.
关键词:
拉曼谱
,
应力
,
压电极化
,
Si-N键
危书义
,
吴花蕊
,
夏从新
,
黄文登
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.004
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究.给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子-空穴复合率和量子点高度LGaN以及势垒层厚度LAlGaN之间的函数关系.结果表明,量子点高度LGaN、势垒层厚度LAlGaN的增加将导致激子结合能、电子-空穴复合率的降低,耦合量子点发光波长的增加.
关键词:
耦合量子点
,
压电极化
,
自发极化
,
量子约束斯塔克效应
,
带间光跃迁
