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HEMT小信号等效电路参数提取

李洪芹 , 孙晓玮 , 夏冠群 , 程知群 , 王德斌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.007

本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法.采用这些方法,提取了HEMT器件32-39GHz八个频率点的S参数值.实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性.

关键词: HEMT , 参数提取 , 小信号等效电路

基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型

李瑞贞 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.016

提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.

关键词: SOI MOSFET , 物理模型 , 参数提取

一种精确的有机薄膜晶体管模型参数提取方法研究

尹飞飞 , 徐征 , 赵谡玲 , 乔泊 , 张成文 , 陈跃宁 , 徐叙瑢

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173204.0281

提出了一种可以精确获得有机薄膜晶体管(OTFT)的直流电流-电压模型中的参数提取方法.该方法通过对实验获得的输出特性曲线和转移特性曲线进行计算和处理,精确获得OTFT器件模型中的7个参数.实验制备了两种采用不同绝缘栅的基于并五苯的底栅顶接触的OTFT,并对其进行了参数提取.利用提取的参数及直流电流-电压模型对OTFT进行模拟,将模拟结果与实验测试结果相比较发现,模拟得到的输出特性及转移特性与测试结果拟合得很好,验证了本文中参数提取方法的正确性.应用建立的模型及本文中的参数提取方法可以用于OTFT器件的设计与模拟.

关键词: 有机薄膜晶体管 , 直流电流-电压模型 , 参数提取

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