吴达军
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何世明
,
刘兴钊
,
李言荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.010
采用脉冲激光沉积(PLD)法在(001)MgO基片上制备出高质量的SrTiO3(STO)薄膜,构建了Au/STO/MgO结构的叉指电容.在77K、10KHz条件下,对叉指电容的特性进行了测试,结果表明:在40kV/cm的直流电场作用下,电容值从1.75 pF减小为1.25 pF,电容值的相对变化率为28.5%.在此基础上,根据多层介质叉指电容保角变换模型.定量计算和仿真了STO薄膜的介电常数和微波频率下叉指电容的性能参数,并由此设计了一个三阶带通滤波器,该滤波器可实现13.50%的中心频率移动.
关键词:
STO
,
薄膜
,
介电性质
,
叉指电容
,
滤波器
何世明
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李言荣
,
刘兴钊
,
陶伯万
,
段滨
功能材料
采用脉冲激光沉积法(PLD)制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构.通过对SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小.
关键词:
SrTiO3薄膜
,
介电性能
,
叉指电容
,
非线性
