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Na和Al双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3热电材料的制备及性能研究

段兴凯 , 胡孔刚 , 满达虎 , 丁时锋 , 江跃珍 , 郭书超

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.05.013

采用真空熔炼及热压烧结技术制备了Na和Al双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3热电材料.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对样品的物相结构和表面形貌进行了表征.XRD分析结果表明,Na0.04Bi0.5Sbl.46-xAlxTe3块体材料的XRD图谱与块体材料Bi0.5Sb1.5Te3的图谱完全对应,所有块体材料的衍射峰均与衍射卡JCPDS 49-1713对应,这表明Na和Al元素已经完全固溶到Bi0.5Sb1.5Te3晶体结构中,形成了单相固溶体合金.SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.Na和Al双掺杂提高了Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数.在Na掺杂量为0.04时,同时Al掺杂量由x=0.04增加至0.12,电导率逐渐降低,在实验掺杂浓度范围内,Na和Al双掺杂会使P型Bi0.5Sb1.5Te3材料的电导率受到较大的损失.在300~500K时,通过Na和Al部分替代Sb,Na0.04Bi0.5Sb1.42Al0.04Te3和Na0.04Bi0.5 Sbl.38Al0.08Te3样品的热导率均有不同程度地减小,在300K时双掺杂样品Na0.04Bi0.5Sb1.42Al0.04Te3的最大Zr值达到1.45.

关键词: 双掺杂 , 热压 , 微结构 , 热电性能

Ga、K双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3材料的制备及热电性能

段兴凯 , 胡孔刚 , 丁时锋 , 满达虎 , 张汪年 , 马明亮

稀有金属

采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料.XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-xKxTe3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移.热压块体材料中存在明显的(001)晶面择优取向.SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善.在300~500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5.

关键词: 双掺杂 , 真空熔炼 , 热压 , 显微结构 , 热电性能

中低温高电导率CeO2基电解质的研究进展

黄金 , 王延忠 , 苏庭庭 , 刘炜 , 胡保全 , 杨金龙

材料导报

综述了中低温下高电导率CeO2基电解质材料研究的最新进展,重点评述了双掺杂和纳米复相提升CeQ基电解质材料电导率和抑制电子电导的机理,并指出了未来CeO2基电解质材料的发展方向.

关键词: CeO2基电解质 , 双掺杂 , 复相电解质 , 电子电导

EDTA和KCl双掺杂下KDP溶液的稳定性研究

吴伟军 , 李明伟 , 程曼 , 曹亚超 , 石航

人工晶体学报

研究了EDTA与KCl不同掺杂浓度和不同过饱和比下KDP溶液的成核过程,测定了不同条件下KDP过饱和溶液的诱导期;根据经典成核理论计算了成核热、动力学参数,并分析了溶液稳定性随掺杂浓度的变化情况.利用化学腐蚀法对KDP晶体(100)面进行了腐蚀,得到了清晰的位错蚀坑,并使用光学显微镜观察了(100)面位错蚀坑的分布特点.结果表明,当过饱和度为4%、掺杂浓度为0.01 mol%EDTA和1 m01%KCl时,不仅KDP过饱和溶液的稳定性比较高,而且位错蚀坑的分布比较均匀、密度小,适合高质量的KDP晶体生长.

关键词: 双掺杂 , 成核 , 诱导期 , 稳定性 , 位错

硫酸盐还原法制备La_2O_2S∶Yb,Er及其上转换发光性能

韩朋德 , 叶远松 , 景文斌 , 张乐 , 陈雁 , 张其土

材料科学与工程学报

采用硫酸盐还原法制备了Yb、Er双掺的La2O2S粉体,考察了柠檬酸用量、前驱体煅烧温度、碳还原温度、Er3+离子浓度和Yb3+离子浓度对粉体的影响。分别采用X-射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、比表面积分析(BET)、紫外可见光分光光度计(UVPC)和荧光光谱分析(PL)对粉体的相组成、形貌、颗粒尺寸、反射率和上转换发光性能进行表征。研究结果表明,800℃时可以得到纯相的La2(SO4)3;碳还原温度为900℃以上可以得到纯相的结晶较好的La2O2S;样品的粒径大约为100~200nm,颗粒存在一定的团聚;柠檬酸与硝酸盐的最佳摩尔比为1.5∶1;Er3+离子掺杂浓度为2mol%、Yb3+离子掺杂浓度为12mol%时粉体的上转换发光强度最强。

关键词: 硫酸盐还原法 , 双掺杂 , 硫氧化镧 , 上转换发光

Ga、K双掺杂对N型Bi2Te2.7Se0.3材料热电性能的影响

段兴凯 , 胡孔刚 , 丁时锋 , 满达虎 , 林伟明 , 金海霞

稀有金属材料与工程

采用真空熔炼及热压方法制备了Ga和K双掺杂N型Bi2Te2.7Se0.3热电材料.XRD分析结果表明,Ga和K已经完全固溶到Bi2Te2.7Se0.3晶体结构中,形成了单相固溶体合金.SEM分析表明,材料组织致密且有层状结构特征.通过Ga和K部分替代Bi,在300~500 K的大部分温度范围内,Ga和K双掺杂对提高Bi2Te2.7Se0.3的Seebeck系数产生了积极的作用,同时双掺杂样品的电导率也得到明显的提高.Ga和K双掺杂样品的热导率都大于未掺杂的Bi2T2.7Se0.3,Ga0.02Bi1.94K0.04Te2.7 Se0.3合金在500 K获得ZT最大值为1.05.

关键词: 双掺杂 , 热压 , 显微结构 , 热电性能

LiMn2-2xLixNixO4(0≤x≤0.1)阴极材料的结构和电化学性能

涂健 , 曹高劭 , 庄大高 , 赵新兵

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.017

采用高温固相法,合成了LiMn2-2xLixNixO4(x=0.03、0.05、0.075、0.100)试样.用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对试样的晶体结构和形貌进行了表征.从试样的充放电性能,室温和高温下(55℃)循环性能等方面,并结合X射线吸收精细结构(X-rayabsorption fine structure,XAFS)所得到的试样中MnO6八面体中键长的变化分析了锂镍协同掺杂对尖晶石结构的稳定作用.实验表明:与尖晶石LiMn2O4相比,LiMn2-2xLixNixO4试样在室温和55℃时具有良好的容量保持能力,是由于Li,M协同掺杂对试样的结构起了稳定作用.

关键词: 锂离子电池 , 阴极材料 , 双掺杂 , 结构分析

溶胶凝胶法制备Ce0.8Y0.2-xSrxO2-δ电解质材料及其性能研究

田长安 , 王春阳 , 季必发 , 刘家丰

稀土 doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201602002

采用溶胶-凝胶法制备了固体氧化物燃料电池(SOFCs)电解质材料Ce08Y0.2-xSrxO2-δ(x=0.00、0.02、0.04、0.06、0.08),并通过红外光谱、热重-差示扫描量热分析、X射线衍射、扫描电镜、交流阻抗等对试样进行分析表征.结果表明,采用溶胶-凝胶法经700℃煅烧所得粉体呈现单相立方萤石结构,平均晶粒尺寸在8 nm~19 nm之间;溶胶-凝胶法制备的Ce08 Y0.2-xSrx O2-δ具有较高的烧结活性,经1400℃烧结2h后材料的相对密度均大于98%.电化学性能研究显示,Y、Sr双掺杂能提高CeO2基电解质的电性能,其中Ce0.8Y0.16Sr0.04O1.88在中温条件下具有良好的离子导电率、适中的电导活化能.Ce0.8Y0.16Sr0.04O1.8在800℃时的离子电导率为0.039 S/cm,电导活化能为0.86 eV.

关键词: 溶胶凝胶法 , 电解质 , CeO2 , 双掺杂 , 电导率

TiO2双掺Cr,Sb的光催化性能研究

闫俊萍 , 唐子龙 , 张中太 , 罗绍华

稀有金属材料与工程

采用共沉淀法制备了金属离子双掺杂的TiO2光催化剂,通过XRD,TEM,BET(表面积测定)和DRS(紫外-可见漫反射)测试手段对样品进行分析,以甲基橙为目标污染物对其进行光催化降解.研究结果表明:光催化活性是多种因素协同作用的结果,煅烧温度、掺杂以及样品的光吸收对光催化性能都产生影响.金属离子双掺杂可使光催化剂在可见光区具有光响应,在荧光汞灯激发下,其催化活性优于未掺杂的样品.

关键词: 双掺杂 , TiO2 , 光催化

双掺杂碳纳米管电子场发射性能的密度泛函研究

曹得财 , 王六定 , 陈国栋 , 安博 , 梁锦奎 , 丁富才

功能材料

采用第一性原理的密度泛函理论(DFT)研究了(5,5)碳纳米管(CNT)顶端硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素双掺杂体系的电子场发射性能.结果表明,在外电场下,各种双掺杂CNT帽端态密度(DOS)向价带移动.电子轨道分布变化显著,电荷分布明显局城化.根据电子态密度、差分电荷密度、最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子非占据轨道(LUMO)分布等计算结果可预期Si双掺杂后更有利于场致电子发射.

关键词: 碳纳米管 , 双掺杂 , 场发射

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