王圣来
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李丽霞
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胡小波
,
高樟寿
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付有君
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孙洵
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李义平
,
曾红
功能材料
用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化.实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放.对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著.
关键词:
热退火
,
KDP晶体
,
双晶X射线衍射
,
Raman光谱
魏榕山
,
丁晓琴
,
何明华
材料研究学报
使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响.结果表明:随着退火温度的升高,量子点中Ge的组分下降,量子点应变的弛豫程度加剧.在1000℃退火20 s后,量子点材料已经完全弛豫.
关键词:
无机非金属材料
,
速热退火
,
Ge量子点
,
双晶X射线衍射
,
拉曼光谱
魏榕山丁晓琴何明华
材料研究学报
使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点, 用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性, 研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结果表明: 随着退火温度的升高, 量子点中Ge的组分下降, 量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20 s后, 量子点材料已经完全弛豫。
关键词:
无机非金属材料
,
rapid thermal annealing(RTA)
,
Ge quantum dots
,
DCXRD
,
Raman spectrum
,
null
