金湘亮
,
陈杰
,
仇玉林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.012
提出一种应用于 CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了 其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件 HSPICE的多瞬态分析法对双极型光栅晶体管的光电 流特性进行了仿真,分析得出这种新型器件在 0.6μ m CMOS工艺参数下,由于引入 pn注入结加 速了光电荷的读出速率,光电流随外加电压呈指数式增长,与普通光栅晶体管相比,蓝光响应特 性有较大改善.
关键词:
光电检测器
,
双极
,
光栅晶体管
,
瞬态模型
孙伟峰
,
叶志镇
,
赵炳辉
,
朱丽萍
材料导报
SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上[1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS技术还处于发展阶段.
关键词:
SiGe
,
双极
,
CMOS
,
射频
,
MSG
毕津顺
,
韩郑生
功能材料与器件学报
本文制备了纳米级的Hf/HfO2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构.系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程.详细研究了该阻变存储器SET电压与RESET电压,高阻态阻值与低阻态阻值间的关联性.该阻变存储器的电学参数与SET过程的电流限制值强相关,因此需要折中优化.利用量子点接触模型对Hf/HfO2基阻变存储器的开关物理机制进行了分析.
关键词:
二氧化铪
,
双极
,
阻变存储器
,
导电细丝
,
量子点接触模型
