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GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 , 曹萌

稀有金属材料与工程

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征.结果表明,采用5 s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差.优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316 nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜.

关键词: 分布布拉格反射镜 , 气态源分子束外延 , X射线衍射 , 反射谱

低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 , 曹萌

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.008

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.

关键词: 低温金属键合 , 垂直腔面发射激光器 , 反射谱 , 光致荧光谱

纳米TiO2的光学特性及烧结行为

王浚 , 高濂 , 宋哲

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.029

采用钛酸丁酯[Ti(OCH9)4]水解法制备了纳米TiO2粉体,通过制备过程工艺参数的控制,获得了不同粒径和形貌的粉料.光反射谱研究表明,纳米TiO2的吸收线系限与粉体的粒径和相结构密切相关;在30MPa和850℃进行热压烧结,得到了相对密度为93.3%,颗粒大小为200nm左右的TiO2块体.

关键词: 纳米TiO2 , 反射谱 , 系限 , 烧结

低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 , 曹萌

金属学报

本文研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中。利用该低温金属键合技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布布拉格反射腔镜(DBR)的反射率。实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200 ℃金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求。对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的。这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中。

关键词: 低温金属键合 , vertical cavity surface emitting laser , null

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