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反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较

孙静 , 康琳 , 刘希 , 赵少奇 , 吉争鸣 , 吴培亨 , 郝西萍

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.005

在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较.通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀,再进行SEM观察切面图像,发现离子刻蚀出来的薄膜边缘,与离子源与基片摆放的方向有很大的关系,而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定,有利于我们制备更好质量的超导隧道结.

关键词: 反应离子刻蚀RIE , 离子刻蚀 , SEM成像

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