赖昌
,
夏上达
,
段昌奎
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.02.001
为了阐明孤立发光中心自发辐射寿命对环境介质光学常数的依赖关系,从两个典型模型的前提假设出发分析了它们各自的适用条件.并在已有的实腔模型基础上推广出更普适的实腔模型.根据这两个模型的适用条件对文献中已有的实验结果和采用的理论模型分析进行了综合分析,发现现有的实验结果均可以得到圆满的解释.在此基础上,给出发光中心环境介质中发光寿命应该满足的模型的判据:对于稀土离子等孤立离子(其光学极化率可以当作零)作为发光中心时,其发光寿命的局域场效应所满足的模型与被替换的介质离子有关,在被替换的介质离子的极化率很小的情况下,为虚腔(Lorentz)模型,反之则满足实腔模型;当发光中心为纳米粒子(如量子点或含有发光离子的纳米尺度的绝缘体)时,局域场效应满足本文推广了的实腔模型.
关键词:
光谱学
,
自发辐射寿命
,
局域场效应
,
Lorentz模型
,
实腔模型
,
发光中心
,
折射率
陈彦
,
马书懿
功能材料
用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/pSi结构的电致发光.利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心.
关键词:
锗/氧化硅纳米多层膜
,
电致发光
,
位形坐标
,
量子限制
,
发光中心
刘艳平
,
陈朝阳
,
范艳伟
,
巴维真
,
杜彦召
,
王军华
影像科学与光化学
采用碳还原法合成SrS:Eu,Sm,研究了灼烧温度及灼烧时间对样品发光性能的影响.通过X射线衍射(XRD)测试证明合成材料纯度较高,样品具有SrS的面心立方结构,晶格常数为0.601nm.样品的激发谱峰值在272、340、466nm处,荧光光谱的峰值在614 nm处,光激励发光峰为608 nm,光激励发光的光谱响应范围为800-1400 nm.
关键词:
碳还原法
,
电子俘获
,
光激励发光
,
发光中心
夏天
,
曹望和
,
田莹
,
付姚
,
周立新
功能材料
以钛酸四丁酯[Ti(O-BU)4]为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了锐钛矿相TiO2纳米薄膜.用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱分别对不同烧结温度和不同手段(旋转涂敷法与一次摊涂法)制备的TiO2薄膜进行了表征.XRD分析表明TiO2薄膜的锐钛矿相(101)面上具有一定的择优取向.PL分析表明,在室温下,当用260nm激发TiO2薄膜时,在370～500nm范围内呈现出很宽的发光带,其对应着不同的发光中心;此外用545nm激发TiO2薄膜时,在近红外区域内818nm附近处展示出半高宽较宽且强度较强的发光峰.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
择优取向
,
光致发光
,
发光中心
严勇健
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.05.014
用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO2包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(PL)特性.结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内.在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强.退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中.
关键词:
无机非金属材料
,
多孔层
,
光致发光
,
纳米硅颗粒
,
发光中心
