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相分离Gd_5Ge_4合金的低温磁化行为及温度依赖性研究

陈镇平 , 薛运才 , 苏玉玲 , 张晓勇 , 曹世勋 , 张金仓

功能材料

系统研究了Gd_5Ge_4合金的晶体结构和低温磁化行为.结果表明,Gd_5Ge_4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象.由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变.在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性.随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化.在温度50~60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性.

关键词: Gd_5Ge_4合金 , 低温磁性 , 相分离 , 台阶式磁化跳跃

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