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4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进

王冲 , 张进城 , 郝跃 , 杨燕

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.019

采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.

关键词: 高电子迁移率晶体管 , 台面隔离 , 泄漏电流