张战刚
,
刘杰
,
侯明东
,
孙友梅
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苏弘
,
耿超
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姚会军
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罗捷
,
段敬来
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莫丹
,
古松
,
刘天奇
,
习凯
,
翟鹏飞
,
曹殿亮
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195
重离子实验结果表明，具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大，甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米，被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形；“L”型和“田”型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后，对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。
关键词:
单粒子效应
,
静态随机存储器
,
各向异性布局
,
多位翻转
