程浩
,
杨维
,
刘鸿
,
汪令江
,
郑勇林
低温物理学报
首次运用电子束光刻技术和真空沉积技术在硅片表面制备了宽度在20纳米Ni80Fe20薄膜铁磁金属纳米点连接,通过对铁磁金属薄膜纳米点连接样品在不同温度下的磁电阻和I~V的研究,得出宽度在20纳米的铁磁金属薄膜纳米点连接中所观察到的磁电阻现象是各向异性磁电阻,其导电行为主要是金属导体导电行为,受量子化电导作用较小;通过对宽度在20纳米至250纳米之间的不同宽度的纳米点连接的磁电阻的测量,发现纳米点连接的磁电阻比例以及电阻值均与纳米点连接的宽度没有必然关系;实验结果表明在20纳米宽的铁磁金属薄膜点连接样品中可能不存在铁磁金属纳米点接触样品中所观察到高比例的弹道磁电阻现象,其磁电阻行为仍然是在铁磁金属体材料中常见的各向异性磁电阻现象,受尺寸效应的影响较小.
关键词:
真空薄膜
,
铁磁纳米点连接
,
各向异性磁电阻
,
弹道磁电阻
李明华
,
李伟
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.009
采用磁控溅射制备了 NiFeCr (4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD 结果表明,薄膜不仅具有很强的 NiFe(111)织构,同时还出现了 MgO 的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。
关键词:
MgO
,
NiFeCr
,
各向异性磁电阻
,
退火
付新闻
,
曹桂新
,
康保娟
,
敬超
,
曹世勋
,
张金仓
低温物理学报
本文系统研究了Co/CoO双层膜的各向异性磁电阻(AMR)与交换偏置行为,并给出了外加微扰场对交换偏置磁锻炼效应恢复程度影响的实验结果.结果表明磁锻炼效应发生后,施加0.15T的倾斜微扰场可致使铁磁畴分裂进而诱导磁锻炼效应的恢复,揭示磁锻炼效应恢复程度与微扰场的角度有紧密关联.在微扰场作用下FM自旋在两个方向分裂,一部分自旋沿微扰场方向,另一部则被冷却场的AFM自旋钉扎住而沿原来方向不变.当微扰场和冷却场夹角大于30°时,FM畴被分裂,磁锻炼效应开始恢复,表明一个磁畴内的铁磁自旋偏离夹角最大为30°,而磁锻炼效应发生后,部分AFM自旋偏离冷却场方向的角度则小于30°,实验结果与相应的理论计算结果一致.此外,恢复程度随微扰场角度的增加而增加,最大恢复程度时角度为90°.同时,磁锻炼效应的恢复增加了交换偏置值,为器件设计提供理论支持,在自旋电子学基础和应用研究方面具有重要的指导意义.
关键词:
Co/CoO双层膜
,
各向异性磁电阻
,
交换偏置
,
磁锻炼效应
王艾玲
,
周云松
,
闵子建
,
陈金昌
,
郑鹉
材料导报
采用磁控溅射方法制备了Co/Ni多层膜并做了热处理,测量了系列样品的结构、磁性和磁电阻.受热处理条件等因素影响,多层膜的层间磁性耦合性质发生变化,电阻率下降,而其各向异性磁电阻的数值没有一致的变化趋势.讨论了磁性层织构和界面对多层膜的磁性与各向异性磁电阻效应的影响.
关键词:
Co/Ni多层膜
,
各向异性磁电阻
,
磁性
,
织构
王立锦
,
张辉
,
滕蛟
,
朱逢吾
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.016
用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)双层薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响;通过X射线衍射(XRD)对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析.结果表明,适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)织构形成,并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度.
关键词:
Ni65Co35 薄膜
,
Ta 种子层
,
各向异性磁电阻
,
织构
周丽萍
,
季勇
,
季红
,
王艾玲
,
郑鹉
,
姜宏伟
功能材料
用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.
关键词:
缓冲层
,
NiCo薄膜
,
各向异性磁电阻
皇甫加顺
,
盛树
,
李宝河
,
于广华
中国材料进展
各向异性磁电阻效应是自旋电子学中的一种非常重要的物理现象，其在诸多相关领域有着广泛的应用前景，因而也是材料科学研究中最具吸引力的方向之一。分别介绍了传统坡莫合金各向异性磁电阻、隧穿各向异性磁电阻、弹道各向异性磁电阻、库仑阻塞各向异性磁电阻、异常各向异性磁电阻以及反铁磁隧穿各向异性磁电阻的研究进展，提出了一些研究中面ll缶的挑战并对发展方向作出展望。
关键词:
各向异性磁电阻
,
自旋轨道耦合
,
自旋电子学
