韩荣江
,
王继扬
,
胡小波
,
徐现刚
,
董捷
,
李现祥
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.002
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC(0001)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究.实验发现,在透射偏光显微镜下,微管通常呈现为蝴蝶形,这是由于微管周围存在着应力场,且应力分布不均匀,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的.从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在2c到10c之间.从晶片00012衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出,晶片的中间大部分区域质量很好,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄,一般为35"左右.在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽,有些区域还会出现衍射峰的分裂,这说明外围区域有嵌镶块结构存在.
关键词:
透射偏光显微术
,
同步辐射X射线形貌术
,
高分辨X射线衍射
,
6H-SiC单晶
,
微管
,
小角度晶界
杨卫桥
,
干福熹
,
邓佩珍
,
徐军
,
李杼智
,
蒋成勇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.011
γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异.
关键词:
γ-LiAlO2晶体
,
缺陷
,
位错
,
同步辐射X射线形貌术
,
GaN衬底
牟其善
,
刘希玲
,
马长勤
,
王绪宁
,
路庆明
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.002
研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷, 对于改善它的性能和应用前景, 有很大的意义. 本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷, 实验结果表明, 两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著, KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物. 讨论了这些缺陷形成的原因.
关键词:
KTiOAsO4晶体
,
同步辐射X射线形貌术
,
缺陷
,
铁电畴
