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离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

邓书康 , 陈刚 , 高立刚 , 陈亮 , 俞帆 , 方静华 , 杨宇

功能材料

用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.

关键词: 离子束溅射 , 非晶硅 , 喇曼散射 , 电阳率

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