周伟峰
,
薛建设
,
金基用
,
刘翔
,
明星
,
郭建
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0165
通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善.狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著.考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
沟道设计
,
四次掩膜曝光
