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光纤用四氯化硅提纯技术的研究

莫杰 , 袁琴 , 武鑫萍 , 王铁艳

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.04.013

高纯度光纤级四氯化硅是制作光纤预制棒的主要原料,其质量好坏直接影响光纤产品的质量.目前,我国光棒生产厂家使用的光纤级四氯化硅总量的85%来自进口.国内的四氯化硅提纯技术虽然对于金属离子杂质的去除有较好的效果,但是对于含氢杂质(尤其是三氯氢硅)的去除效果却不够理想,产品普遍存在氢杂质含量较高的问题,无法满足光纤预制棒芯棒的生产需要.对四氯化硅中含氢杂质的光化学反应机制进行了研究,并对四氯化硅精馏提纯的工艺参数进行了优化,提出了采用光化-精馏联合的提纯工艺方法,对于与四氯化硅沸点相近的含氢化合物的去除效果非常理想.采用的工艺方法不会在四氯化硅产品中引入由吸附剂、络合物所带来的新的杂质,且具有工艺流程简单,生产效率高的优点.研究生产的高纯四氯化硅产品在含氢杂质的控制方面与国外产品水平持平,部分指标略有胜出;在金属离子杂质控制方面,提纯的样品部分金属杂质低于国外产品标准一个数量级.提纯制备的高纯四氯化硅产品可满足管内法等离子体化学气相沉积/管内化学气相沉积(PCVD/MCVD)工艺生产单膜、多膜光纤预制棒芯棒的需要,为实现我国光纤通信原料的国产化提供有益参考.

关键词: 四氯化硅 , 光纤 , 光化学反应 , 精馏提纯

2005年中国气相法白炭黑的进展

龙成坤 , 刘莉 , 杨本意

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2006.09.015

概述了2005年我国气相法白炭黑行业的发展状况,分析了国内气相法白炭黑行业发展存在问题,提出了相关建议.

关键词: 气相法白炭黑 , 甲基三氯硅烷 , 四氯化硅 , 亲水性 , 疏水性

四氯化硅滴定法制备白炭黑的实验研究

王明贤 , 支恒学 , 赵泽艳 , 李晓武 , 吴国军

硅酸盐通报

以多晶硅生产过程中产生的废弃物四氯化硅为原料,在一定条件下,在保护气体(如惰性气体氮气)的保护下,将四氯化硅与等量的硅酸钠溶液同时滴定到放有氯化钠溶液的容器中,调节溶液pH至4左右,搅拌30 min后停止搅拌,转移沉淀物,漂洗至pH到7,抽滤、烘干即可得到粉状白炭黑.本文的创新点是在总结前人制备纳米白炭黑的基础上,研制出利用双水解的方法制备纳米白炭黑.

关键词: 四氯化硅 , 硅酸钠溶液 , 滴定法 , 白炭黑 , 纳米

等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

冉祎 , 兰天石 , 覃攀 , 戴晓雁 , 印永祥

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.025

区别于改良西门子法、硅烷法、碳热还原法、区域熔炼法等多晶硅生产工艺,利用等离子体技术,建立了以硅的氯化物为原料,一步法制备多晶硅的实验装置和工艺流程,并在此基础上进行了粒状多晶硅制备的实验.实验表明,SiCl4单程转化率超过70%,多晶硅选择性60%.利用XRD、SEM、AS等分析手段,对所得产物进行了表征.与纯度为7个9的多晶硅标样的比较表明,实验产物达到了太阳能级.此方法为多晶硅生产极大地放宽了原料选择条件,为低成本生产太阳能级多晶硅提供了一种新的途径.

关键词: 多晶硅 , 等离子体 , 四氯化硅 , 一步法 , 西门子法

SiCl4氢化技术的应用现状及研究进展

潘红星 , 曾亚龙 , 朱明 , 李光明

材料导报

采用氢化技术将四氯化硅转化为三氯氢硅是目前四氯化硅得到合理利用的有效手段.以此为主线,在已有研究工作和生产经验的基础上,从原理上分析了四氯化硅氢化反应,总结了影响氢化转化率的主要因素,提出了合理化建议,为多晶硅的生产提供了有价值的参考.

关键词: 四氯化硅 , 氢化 , 三氯氢硅 , 多晶硅

新型TiCl4/Ni(acac)2复合催化剂乙烯聚合反应

萧翼之 , 杨海滨 , 张启兴 , 王海华

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2001.07.006

制备了TiCl4/Ni(acac)2/MgCl2-SiO2-ZnCl2/AlR3复合催化剂. 研究了促进剂四氯化硅(SiCl4)和各种聚合条件对乙烯聚合的影响及其表观聚合动力学. 用DSC、IR、13C NMR对聚合产物进行了结构性能的分析和表征. 结果表明,促进剂SiCl4有很好的提高催化效率的作用;TiCl4/Ni(acac)2复合催化剂有催化乙烯齐聚和原位共聚功能,获得了熔点和结晶度较低的、有一定支化度的中、低密度聚乙烯.

关键词: 乙酰丙酮镍 , 四氯化钛 , 复合催化剂 , 四氯化硅 , 乙烯聚合

四氯化硅气相水解制备超细白炭黑工艺的研究

卢钱峰 , 郑典模 , 周桂明 , 潘鹤政

硅酸盐通报

本文以四氯化硅为原料,采用气相水解法制备超细白炭黑新工艺.探讨了四氯化硅通气速率、硅酸钠含量及反应温度等因素对产物理化性能的影响.结果表明,较优工艺条件为四氯化硅通气速率150 mL/min,硅酸钠含量13%,反应温度70℃.该工艺条件下所得产物为无定形结构超细白炭黑,其吸油值2.57 mL/g,比表面积115.49m2/g,二氧化硅含量(干基)99.06%,表观密度0.11 g/mL,粒径(d50)6.5μm.

关键词: 四氯化硅 , 气相水解法 , 超细白炭黑

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