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硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究

赵子强

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.z1.030

利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程序模拟计算都表明团簇效应的存在.

关键词: 团簇离子 , 光吸收谱 , 团簇区