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烧结温度对合成Ti3SiC2材料的影响及反应机理的研究

王超 , 吕振林 , 周永欣 , 王玲玲

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.04.011

以Ti/Si/C为原料,采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料,并分析反应烧结机理.结果表明,以3Ti/1.2Si/2C为起始原料,烧结温度在1 250~1 300℃之间,可以得到Ti3SiC2含量90%以上的Ti3SiC2材料.Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应,即:Ti5Si3和β-Ti形成液相,液相再与TiC反应,进而合成Ti3SiC2.

关键词: 烧结温度 , 固-液反应 , 热力学分析 , Ti3SiC2 , 反应机理

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