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固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析

曹雪 , 舒永春 , 叶志成 , 皮彪 , 姚江宏 , 邢晓东 , 许京军

人工晶体学报

本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.

关键词: 热力学 , 固态源分子束外延 , InGaP , GaAs , 异质结构

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