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Ge/Si量子点生长的研究进展

鲁植全 , 王茺 , 杨宇

材料导报

回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展.主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化.

关键词: Ge/Si量子点生长 , 图形衬底 , 表面原子掺杂 , 超薄SiO2层 , Ge组分

高效大功率LED用蓝宝石图形衬底的制备

汪桂根 , 崔林 , 韩杰才 , 王新中 , 严帅 , 秦国双

人工晶体学报

首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜;最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应.在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究.SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处理24h后,其图形形貌没有发生明显改变;在温度低于1200℃的高温热处理1h后,图形仍然存在.HRXRD分析表明,图形化铝膜在450℃低温热处理24h后再在1000℃高温热处理1h,可在蓝宝石衬底上形成氧化铝外延薄膜;并且相比于基片,氧化铝外延薄膜的结晶质量还有所提高.本方法成功实现了高效大功率用LED蓝宝石图形衬底的制备.

关键词: 蓝宝石 , 图形衬底 , 电子束光刻 , 剥离 , 发光二极管

GaN基LED图形衬底的性能研究

李程程 , 徐智谋 , 孙堂友 , 王智浩 , 王双保 , 张学明 , 彭静

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12550

蓝宝石图形衬底可以降低外延位错密度并增强背散射光,已经成为制备高亮LED有效技术手段.本研究运用时域有限差分(FDTD)法模拟和比较了GaN基微纳米图形衬底LED几种衬底图形结构对光的提取效率的影响.模拟结果显示纳米图形衬底(NPSS)对光效的提高明显优于微米图形衬底(MPSS).在对圆柱、圆孔、圆台、圆锥和曲面锥等纳米结构的研究中,圆台柱结构的纳米图形衬底对光提取效果最好.通过进一步模拟优化,得到圆台结构的最佳参数,此时相对于普通衬底LED光的提取效率提高了96.6%.试验中,采用软模压印技术在蓝宝石基片上大面积制备出纳米圆台图形衬底,并测得外延生长GaN层后的外延片的PL强度增加了8倍,可见纳米图形衬底对提高LED的出光效率有显著效果.

关键词: GaN基LED , FDTD , 图形衬底 , 纳米压印

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