林志贤
,
张永爱
,
覃华芳
,
郭太良
功能材料
采用水热法制备形貌和尺寸各异的纳米ZnO材料.用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试产物结构和表面形貌,分析影响纳米ZnO材料生长的因素,探讨纳米ZnO的生长机理.研究了各种形貌ZnO阵列的场致发射特性.实验结果表明,在各种ZnO纳米结构中,纳米管的场致发射性能最好,其最大电流密度可达到0.2mA/cm~2,开启场强2.5V/μm,为寻求良好场发射性能的ZnO纳米材料提供了一个可行的途径.
关键词:
ZnO纳米材料
,
水热法
,
表面形貌
,
场发射性能
王超
,
贺跃辉
,
彭超群
,
王世良
,
刘新利
中国有色金属学报
一维W纳米材料是一种新型的场发射材料,具有优异的场发射性能.介绍场致电子发射的基本原理及性能评价标准；讨论一维W纳米材料的6种制备方法:气相沉积法、电子束诱导法、蚀刻法、溅射法、自组装法和模板法；分析不同制备方法对场发射性能的影响；指出电场增强因子是决定一维W纳米材料场发射性能优劣的首要因素,设计制造出结构可靠、场发射性能优异、成品率高以及寿命长的一维W纳米材料器件是未来的研究重点.
关键词:
一维材料
,
W
,
纳米材料
,
场发射性能
,
可控制备
张哲娟
,
林丽锋
,
高阳
,
杨介信
材料热处理学报
以乙炔为原料气,采用铬一镍复合催化剂,在550~C下,由化学气相沉积法(CVD)制得了直径为20.300nm的多壁碳纳米管(MWNT).经过45min的高能球磨处理后,通过空气氧化法对所获碳纳米管进行提纯,去除了碳纳米管中的无定形碳、碳纳米颗粒等非晶碳成分,提高了碳纳米管的纯度;并研究了提纯温度和场发射特性的关系.用扫描电镜、Raman光谱对其形貌和结构进行了表征.结果表明:碳纳米管在空气中,400～450℃加热10min后,非晶碳成分基本去除,纯度得到提高可以得到优化的场发射特性,如低的阈值电场和高场发射电流等.
关键词:
碳纳米管
,
高能球磨
,
空气氧化
,
场发射性能
周文龙
,
张铭
,
宋雪梅
,
严辉
中国有色金属学报
以CH4和H2为反应气，采用微波等离子体增强化学气相沉积方法在直径为10 cm的硅原片上制备纳米金刚石薄膜。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电镜和原子力显微镜对薄膜的组成结构及性能进行表征。结果表明：薄膜的平均晶粒尺寸约为13.8 nm，厚度可达10.8μm，表面粗糙度约为11.8 nm；其拉曼光谱是典型的纳米金刚石薄膜的特征峰峰形，同时在高真空条件下对所制备的薄膜样品进行场发射性能测试。
关键词:
纳米金刚石薄膜
,
拉曼图谱
,
表面粗糙度
,
场发射性能
祁琰媛
,
陈文
,
麦立强
,
刘曰利
,
薛理辉
功能材料
以聚碳酸酯(PC)膜为模板,结合溶胶凝胶法制备了直径为200nm的非晶态氧化钼纳米棒阵列;390℃热处理1h后转变为晶型良好且高度有序的MoO3·2H2O纳米棒阵列.利用XRD、TG-DSC、SEM和HRTEM测试手段分析产物的形貌与结构,同时发现该阵列具有较好的场发射性能.
关键词:
模板
,
氧化钼
,
纳米棒
,
阵列
,
场发射性能
崔雪梅
,
王艳
,
邓敏
,
丁桂甫
功能材料
提出了一种新型的制备碳纳米管场发射阴极的方法———植布法,详细描述了植布法工艺,并用扫描电镜观察植布法得到的样品的表面形态,讨论了球磨工艺、碳管和聚合物分散剂不同质量配比,及聚合物介质刻蚀时间的长短对最终场发射阴极性能的影响。实验表明植布法制备的场发射阴极具有良好的场发射性能,如低的开启电压（约为1.7V/μm）,高的电流密度（在3.6V/μm下,电流密度可以达到26mA/cm2）。该方法结合了传统直接生长和丝网印刷法制备碳纳米管阴极的优点,实现了碳纳米管与金属基底可靠结合的结构,广泛适用于以该结构作为核心功能单元的器件。
关键词:
碳纳米管
,
聚酰亚胺
,
场发射阴极
,
场发射性能
,
植布法
许浩
,
林文松
机械工程材料
采用丙酮、异丙醇、丙酮/无水乙醇混合溶液3种不同的分散剂,利用电泳沉积法在硅基底上制备了碳纳米管（CNTs）薄膜;采用超景深光学显微镜和电子显微镜观察了不同薄膜的表面形貌,并在高真空中对碳纳米管薄膜阴极进行了场发射特性测试。结果表明：以异丙醇作分散剂制备的CNTs薄膜表面均匀连续,场发射性能较好,开启电场和阈值电场分别为0.188V.μm-1和2.8V.μm-1。
关键词:
电泳沉积
,
碳纳米管
,
分散剂
,
场发射性能
高阳
,
张燕萍
,
王莉莉
,
张哲娟
,
潘立坤
,
陈弈卫
,
孙卓
,
杨介信
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.009
将石墨衬底浸泡于0.5 mol/L Ni(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜.研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响.通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小.同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强.实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度.
关键词:
碳纳米管
,
场发射性能
,
石墨衬底
,
生长温度
,
Ni(NO3)2溶液
徐二阳
,
王昆林
,
韦进全
,
朱宏伟
,
李祯
,
桂许春
,
吴德海
材料热处理学报
以二甲苯/吡啶为碳/氮源,二茂铁为催化剂,在800 ℃下,由化学气相沉积法(CVD)制得了直径为10～30 nm的掺氮碳纳米管(CNT)阵列.用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱对其形貌和结构进行了表征.发现该碳管阵列具有竹节状结构,其中的氮含量沿碳管管径方向呈渐变趋势.随着碳管中氮含量的增加,竹节长度减小.研究了阵列的场发射性能,结果表明该碳管阵列是一种优秀的场发射材料:开启场强为0.37 V/μm,阈值场强为0.9 V/μm,场增强因子为37700.
关键词:
碳纳米管
,
渐变掺氮
,
场发射性能
