郑定山
,
邹旭明
,
蒋涛
人工晶体学报
利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.
关键词:
InAs纳米线
,
场效应晶体管
,
阈值电压
,
迁移率
王进
,
吴卫东
,
曹林洪
,
王雪敏
,
王瑜英
材料导报
二维蜂巢状结构的石墨烯拥有独特的电学特性,其极高的电子迁移率、异常的量子霍尔效应、室温下亚微米尺度的弹道输运特性使之成为电子元器件研究的热点.简要介绍了近年来石墨烯电学方面的发展概况,其中包括晶界、晶畴对电学性能的影响,石墨烯场效应晶体管,石墨烯量子点,石墨烯pn结,石墨烯电学性能在磁场中的应用和石墨烯相关衍生物的电学性质.
关键词:
石墨烯
,
电学
,
场效应晶体管
,
量子点
吕建伟
,
王万录
,
张毅
,
万步勇
,
曹春兰
,
孔纪兰
材料导报
介绍了利用纳米材料和技术代替传统的硅(Si)材料,研制电子功能元器件的重要性和急迫性.着重介绍了用纳米碳管研制场效应晶体管(FET)这一重要的电子元件的进展情况及几种常见的碳纳米管FET.分析了现有的碳纳米管FET实用化的困难和存在的问题,并展望了碳纳米管FET的应用前景.
关键词:
纳米电子学
,
电子器件
,
碳纳米管
,
场效应晶体管
刘辉
,
张清
材料导报
在空气中稳定的n型有机半导体材料是当前有机场效应晶体管(OFET)研究的重要方向.分子中引入氟取代基和三氟甲基/全氟烷基可能会将有机半导体材料从p型转变成n型,同时还可提高有机半导体材料的稳定性.从分子结构的角度出发介绍了含氟类有机半导体材料的最新进展及其在场效应晶体管中的应用,并进一步提出了该领域的研究前景.
关键词:
场效应晶体管
,
n型有机半导体材料
,
氟
,
稳定性
,
迁移率
李越强
,
刘雯
,
王晓东
,
陈燕凌
,
杨富华
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.015
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线.在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的I-V特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响.在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象.这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释.这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器.
关键词:
InAs量子点
,
场效应晶体管
,
悬浮栅
,
负微分电导
蒋涛
,
郑定山
人工晶体学报
利用化学气相沉积法在Si/SiO2衬底上生长出了InP纳米线,制备了基于InP纳米线的底栅场效应晶体管并研究了其电输运特性.对不同生长温度器件的阈值电压、亚阈值斜率、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和比较.结果表明,生长温度对InP纳米线的形貌影响较大.800℃生长温度的InP纳米线性能较好,该器件阈值电压约为-8.5V,亚阈值斜率为142.4 mV/decade,跨导为258.6 nS,开关比＞106,场效应迁移率高达177.8cm2/(V·s),载流子浓度达2.1×101s cm-3.
关键词:
化学气相沉积
,
InP纳米线
,
场效应晶体管
,
迁移率
,
阈值电压
崔秋红
,
侯延冰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0461
在共轭光电材料的应用中,材料的溶解度决定着其加工性能,而分子规则的自组装排列对于其在固态中的结晶性起着重要作用.然而如何保证材料同时具有高的溶解度和结晶性是目前共轭有机半导体研究的一个难点.本工作选择两个相似共轭分子进行研究,其中:一个是平面结构,另一个是扭曲结构.结果发现扭曲结构分子不仅溶解度比平面结构分子大,而且在固态状态下,会自发转变成平面结构获得更好的结晶性.进一步研究分子薄膜器件的微纳结构对电学性能的影响.结果表明扭曲分子的场效应晶体管性能优于平面分子,迁移率达到6.73×10-3 cm2/V·s,比平面分子薄膜的迁移率高出一个数量级.本文揭示分子结构、聚集态结构与电学性能之间的关系,为未来设计合成高效共轭分子提供了新思路.
关键词:
共轭分子
,
分子自组装
,
迁移率
,
场效应晶体管
周国庆
,
胡林
,
魏凌志
,
张发培
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.019
石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响.采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4 mm左右的大尺寸单晶石墨烯.通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量的单层单晶石墨烯.同时观察到CVD生长的亚毫米级、A-B型堆垛的多层单晶石墨烯畴,以及由单晶石墨烯共生形成的叠层结构.此外通过采用3种类型的铜箔衬底生长石墨烯,发现铜箔特性如体氧含量等对石墨烯成核密度和单晶石墨烯形貌有重要的影响,并观察到不同类型铜箔的晶面择优取向在CVD生长前后发生不同的转变.最后,利用所生长的大尺度单晶石墨烯制备场效应晶体管,实现高的载流子迁移率.
关键词:
单晶石墨烯
,
化学气相沉积
,
成核密度
,
铜箔衬底
,
场效应晶体管
张学成
,
肖少庆
,
南海燕
,
张秀梅
,
闫大为
,
顾晓峰
人工晶体学报
薄层二硫化钼(MoS2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景.本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理,研究处理前后以及后续退火后薄层二硫化钼的光学与电学特性的变化.研究表明,氢原子在温和等离子体的作用下会渗入薄层MoS2,从而改变原始的晶格结构并影响MoS2的晶格振动,导致荧光淬灭,同时使薄层MoS2趋于本征或者p型.后续退火会引起极少数MoS2分子与氢原子的重新键合,从而改变其带隙.
关键词:
薄层二硫化钼
,
温和等离子体
,
拉曼光谱
,
荧光
,
场效应晶体管
王天宇
,
姜建壮
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20170115
信息科技的高速发展使得开发有机小分子半导体越来越成为迫切的现实需求.而基于酞菁分子独特的π共轭体系,超高的稳定性以及稀土元素丰富的电子能级结构,三明治型酞菁的稀土配合物在构建场效应晶体管方面具有很多优势.事实证明,三明治型酞菁的稀土配合物可以用来构建双极性场效应晶体管,其对电子和空穴载流子都有很高的迁移率.而改变三明治型酞菁的稀土配合物的分子结构和自组装纳米结构都可以调控其所形成的分子半导体器件的特点和性能.本文对近期这些非常有意义的研究进展进行了总结.
关键词:
三明治型酞菁配合物
,
稀土
,
场效应晶体管
,
迁移率
