张秀霞
,
魏舒怡
材料导报
通过实验测试研究了热烧结和退火后处理工艺对玻璃衬底碳纳米管薄膜(CNTF)场发射特性的影响,得到了低成本丝网印刷方法在玻璃衬底制备CNTF阴极的热烧结曲线, 250min热烧结过程包括2个升温阶段和3个恒温阶段,热烧结的最高温度为613K.结果表明,623K、15min是样品退火后处理的最佳条件,适宜的退火后处理使CNTF场发射趋于均匀.
关键词:
碳纳米管
,
丝网印刷
,
场致发射
,
热烧结
,
退火后处理
王欣
,
王发展
,
王哲
,
何银花
,
马姗
,
吴振
人工晶体学报
运用以密度泛函理论为基础的第一性原理计算方法,研究了N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌(ZnO)单壁纳米管的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:共掺可增强体系帽端的稳定性;外加电场越大,各体系的态密度(DOS)分布越低,能隙和有效功函数越小,电荷向帽端聚集.DOS,最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO),Mulliken电荷和有效功函数分析结果一致表明,N-In共掺体系的场发射性能最优.
关键词:
第一性原理
,
ZnO纳米管
,
场致发射
,
共掺杂
段新超
,
王小平
,
王丽军
,
王隆洋
,
张雷
材料导报
简要介绍了场致发射显示器件的结构和原理,全面总结了人们正在研究的各种场发射冷阴极材料,其中主要包括金属场致发射阵列、硅场致发射阵列、金刚石及其相关薄膜、碳纳米管和纳米纤维、一维纳米材料、碳化物、氮化物薄膜等.并展望了场致发射显示器件的发展前景.
关键词:
场致发射
,
冷阴极
,
场致发射阵列
,
金刚石薄膜
,
碳纳米管
任雯
,
梁海锋
,
蔡长龙
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2012.03.007
采用磁控溅射技术沉积碳钛颗粒膜,应用图形化工艺制作基于碳钛颗粒膜的表面电子发射原型器件.在幅值渐增的三角波电压作用下,器件在电压幅值低于17V时,伏安特性呈明显的线性特性,对应的薄膜表面没有变化；进一步升高器件电压幅值,伏安特性呈明显的负阻特性,同时可以观测到表面电子发射,表面电子发射最大达到7.2μA,发射效率达到了0.094 3％,薄膜表面失色,产生明显的孔洞结构.根据F-N理论拟合器件电压和发射电流,所得Ie-Vf特性曲线呈直线,表明发射电子源于场致电子发射.
关键词:
碳钛颗粒膜
,
表面传导电子发射
,
伏安特性
,
场致发射
张文锋
,
曾葆青
,
赵艳珩
,
赵约瑟
,
杨中海
功能材料
通过催化热解法制备了碳纳米管,采用机械共混法制作了碳纳米管/聚四氟乙烯复合材料场发射阴极,研究了不同碳纳米管质量分数对复合材料阴极场发射特性的影响,通过制作的封装结构,对比研究了真空环境下碳纳米管/聚四氟乙烯与碳纳米管/环氧树脂复合材料的场发射特性,证明碳纳米管/聚四氟乙烯复合材料更适用于场发射阴极的真空环境中,可以满足场发射显示器件的要求.
关键词:
碳纳米管
,
聚四氟乙烯
,
纳米复合材料
,
场致发射
,
环氧树脂
崔春娟
,
张军
,
刘林
,
傅恒志
材料导报
场致发射显示是一种具有良好应用前景的新型显示技术,场致发射阴极材料是场致发射显示器的核心内容.综述了近年来场致发射材料的研发热点,对金属、硅、金刚石及类金刚石薄膜、GaAs和CaN等场致发射材料的研究做了简要的归纳,同时介绍了碳纳米管、表面传导型场致发射材料及采用定向凝固技术制备的Si-TaSi2共晶自生复合场致发射材料等新型场致发射材料的研究进展,并展望了场致发射材料的研究及应用前景.
关键词:
场致发射
,
冷阴极
,
功函数
,
定向凝固
张秀霞
,
朱长纯
,
曾凡光
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.017
将碳纳米管(CNT)浆料印刷在不锈钢衬底上,进行了特殊的热烧结和后处理工艺处理.经过特殊热烧结和后处理工艺处理后的试样,在外加电场后,电子发射的开启电场从2.50 V/μm降低到1.40 V/μm.外加电场为3.30 V/μm时场发射电流从8.50 μA/cm<'2>提高到350μA/cm2,场发射效率提高;当场强为4.0 V/μm时,阳极上荧光点的面密度约从(5～8)个/cm2提高到(22～26)个/cm2,发射均匀性得到有效的提高.讨论了丝网印刷CNT薄膜中电子的场发射实验,表明特殊的热烧结和后处理工艺使CNT之间的残留物厚度变薄,而且使更多的CNT均匀地露出薄膜表面,只有电子隧穿达到裸露的CNT才能有效地发生场发射.
关键词:
丝网印刷
,
碳纳米管薄膜
,
后处理
,
场致发射
