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低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 , 曹萌

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.008

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.

关键词: 低温金属键合 , 垂直腔面发射激光器 , 反射谱 , 光致荧光谱

气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构

刘成 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 黄占超 , 曹萌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.010

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构.通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μm VCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA.实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致.

关键词: 垂直腔面发射激光器 , 气态源分子束外延 , 光电特性

离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

刘成 , 曹春芳 , 劳燕锋 , 曹萌 , 谢正生 , 吴惠桢

功能材料

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.

关键词: 垂直腔面发射激光器 , 离子注入 , 退火

低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 , 曹萌

金属学报

本文研究了Au-In-Au低温金属键合技术，并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）器件结构的制作中。利用该低温金属键合技术不仅有利于提升器件的热学性能，而且有利于提高VCSEL结构中分布布拉格反射腔镜（DBR）的反射率。实验结果表明，InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200 ℃金属键合到Si衬底上，键合强度高，键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求。对键合样品光学特性的分析表明，低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质，这对VCSEL器件结构的制作是有利的。这种低温金属键合技术，有望应用在许多半导体光电器件的制作中。

关键词: 低温金属键合 , vertical cavity surface emitting laser , null

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