Rongfa CHEN
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Dunwen ZUO
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Feng XU
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Duoseng LI
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Min WANG
材料科学技术（英）
The contacting interface between the substrate and water-cooled base is vital to the substrate temperature during diamond films deposition by a DC (direct current) plasma jet. The effects of the solid contacting area, conductive materials and fixing between the substrate and the base were investigated without affecting the other parameters. Experimental results indicated that the preferable solid contacting area was more than 60% of total contacting areal; the particular Sn-Pb alloy was more suitable for conducting heat and the concentric fixing ring was a better setting for controlling the substrate temperature. The result was explained in terms of the variable thermal contact resistance at the interface between substrate and base. The diamond films were analyzed by scanning electron microscopy (SEM) for morphology, X-ray diffraction (XRD) for the intensity of characteristic spectroscopy and Raman spectroscopy for structure.
关键词:
diamond films
,
基体温度
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连接界面
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直流等离子体
张金林
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贺春林
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王建明
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杜兆富
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赵栋梁
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才庆魁
金属功能材料
采用直流反应磁控溅射方法在AISI304不锈钢和Si(100)表面沉积了TiN薄膜,利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和电化学技术研究了基体温度对TiN薄膜结构与电化学性能的影响.结果表明:TiN薄膜为柱状结构,表面平整、致密,但基体温度高于300℃时膜表面存在微裂纹.薄膜为面心立方结构δ-TiN并存在择优取向,室温和150℃时的薄膜择优取向为(111)晶面,300℃和450℃时为(200)晶面;基体为室温时薄膜厚度为0.63 μm,温度提高到150℃后膜厚增加到1μm左右,但继续升温对膜厚影响并不明显.薄膜在NaCl溶液中的腐蚀为点蚀,基体温度为150℃时的TiN薄膜具有最高的开路电位和点蚀电位以及最低的腐蚀速率,因此具有最佳的耐蚀性.
关键词:
反应磁控溅射
,
TiN
,
基体温度
,
微结构
,
电化学性能
邓福铭
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杨俊杰
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刘畅
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王博
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周欢子
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赵晓凯
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.12.004
热丝CVD法金刚石膜生长中基体温度对金刚石薄膜的质量有很大的影响,而基体与灯丝的距离决定着基体沉积温度的高低.本实验采用单一变量法,在其它工艺参数不变的情况下,研究不同基体与灯丝距离对CVD金刚石涂层的质量的影响.采用扫描电镜、Raman光谱、洛氏硬度计对试样的表面形貌、成分和涂层与基体的结合力进行测定.结果表明,当采用两步法基体预处理,在碳源体积浓度为2％、沉积气压为3kPa、反应功率为4 kW时,得到最优金刚石涂层质量的热丝与基体的距离为5 mm.
关键词:
基体温度
,
涂层质量
,
基体与灯丝距离
,
基体预处理
李世涛
,
乔学亮
,
陈建国
中国有色金属学报
将In2O3和SnO2粉末按质量比1:1热压烧结制成靶材,采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜.实验结果表明:氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVIL有着重要的影响,其最佳值为0.2Pa.ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系. 提高基体温度ts可以改善薄膜的性能,在ts为200℃时,ITO薄膜的TVIL达到90%以上(含玻璃基体),方阻为13.1Ω/□. 根据薄膜生长的3个阶段理论,建立了薄膜厚度与电阻率的关系:在ITO薄膜生长过程中,依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理. 由实验结果求得了临界厚度dc约为48～54nm,AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应.
关键词:
ITO薄膜
,
磁控溅射
,
氩气压强
,
基体温度
,
导电机理
陈艳平
,
帅茂兵
,
鲜晓斌
,
吉祥波
,
唐贤臣
高分子材料科学与工程
用化学气相沉积法制备的聚氯代对二甲苯膜具有优异的耐溶剂腐蚀及气体阻隔性能.文中采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了不同基体温度下制备聚氯代对二甲苯膜的微观组织结构;采用MOCON透湿仪测试了其水汽渗透率.结果表明,随基体温度升高,膜内聚合物分子链取向度先升高、后降低,且在较高温度下聚合物苯环基团更倾向于垂直基体表面.水汽在膜内渗透速率随基体温度升高先降低、后升高,且在约30℃～45℃处达到最低值.
关键词:
聚氯代对二甲苯膜
,
基体温度
,
微观结构
,
渗透性
黄雷
,
袁军堂
,
汪振华
,
于斌斌
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201507006
采用线性离子束镀膜技术在YG6硬质合金上沉积氢化类金刚石(α-C∶H)薄膜,通过原子力显微镜、Raman光谱仪、球磨仪和洛氏压力仪等研究了基体温度对α-C∶H薄膜微观结构、表面形貌、耐磨性以及膜基结合性能的影响.结果表明:随着基体温度升高,薄膜中sp3键含量和耐磨性能先降低后提高,表面粗糙度先减小后增大;基体温度在80 ℃时,制备的薄膜最为光滑,而sp3键含量最低,薄膜耐磨性最差;基体温度对膜基结合性能没有明显的影响.
关键词:
线性离子束
,
α-C∶H薄膜
,
基体温度
,
显微结构
,
性能
黄美东
,
林国强
,
董闯
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2001.04.018
较详细地考察了电弧离子镀时影响基体沉积温度的因素及影响程度,应用能量平衡原理建立了计算基体沉积温度的数学模型.采用该计算模型分析了基体材质、形状与电弧离子镀膜工艺参数改变时基体温度的变化,经实验验证,模型计算与实验数据基本吻合.
关键词:
计算
,
基体温度
,
电弧离子镀
