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LTCC铜布线N2烧结研究

徐忠华 , 马莒生 , 韩振宇 , 唐祥云

功能材料

研究了LTCC(低温共烧玻璃-陶瓷)N2气氛下基片排胶效果与铜布线质量.用综合热分析仪分析了LTCC基片N2烧结,发现有机物的排放集中在150~500℃区段;烧结试样微观断面形貌及能谱分析表明,干N2烧结后,基片中残留许多游离C,严重影响了基片强度及基片与Cu布线的界面结合;湿N2烧结后,基片排胶完全,但Cu布线发生了较为严重的氧化.

关键词: 玻璃-陶瓷 , 基片 , 铜布线 , 氧化

基片负偏压对Cu膜纳米压入硬度及微观结构的影响

王飞 , 徐可为

稀有金属材料与工程

测试了不同溅射偏压下Cu膜的纳米压入硬度,探讨了溅射偏压、残余应力及压痕尺寸效应对Cu膜硬度的影响.结果表明,随着溅射偏压的增大,薄膜晶粒尺寸及残余压应力均减小,导致薄膜的硬度增大,并在-80V达到最大值,随后有所降低.同时薄膜中的压痕尺寸效应对薄膜硬度随压入深度的分布有很大的影响.

关键词: 纳米压入 , 硬度 , Cu膜 , 基片

MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析

华云峰 , 陈照峰 , 张立同 , 成来飞

稀有金属材料与工程

在不通入活性气体的条件下,采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜.结果表明:低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变,其C-H和C-O键断裂活性升高,导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质;高于220℃加热先驱体和550℃沉积,可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜.

关键词: , 金属有机物化学气相沉积 , 先驱体 , 基片

高热导率氮化铝陶瓷研究进展

燕东明 , 高晓菊 , 刘国玺 , 常永威 , 乔光利 , 牟晓明 , 赵斌

硅酸盐通报

氮化铝(AIN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料.本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一些氮化铝陶瓷的应用实例.

关键词: 氮化铝 , 流延成型 , 注射成型 , 基片 , 透明陶瓷

基片及基片温度对Fe4N薄膜的形成及其特性的影响

诸葛兰剑 , 姚伟国 , 吴雪梅 , 王文宝

功能材料

以双离子束溅射法在(111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,以(111)硅片为基片,可制得无晶粒择优取向的单一γ1-Fe4N相;而以玻璃为基片,在基片温度为160℃时,则可制得具有(100)面晶粒取向的单一γ1-Fe4N相薄膜;与无晶粒择优取向的γ1-Fe4N相比较,具有(100)面晶粒取向的γ1-Fe4N相的矫顽力较低,易达到磁饱和,但二者的饱和磁化强度基本一致.

关键词: 双离子束溅射 , 基片 , γ1-Fe4N薄膜 , 晶粒取向

电子封装基片材料研究进展

张强 , 孙东立 , 武高辉

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.04.016

阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了电子封装用陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料的性能特点,论述了电子封装基片材料的研究现状,并指出了发展方向.

关键词: 电子封装 , 基片 , 性能 , 研究现状

微流控芯片基片与盖片一体化注塑成型研究

宋满仓 , 刘莹 , 祝铁丽 , 杜立群 , 王敏杰 , 刘冲

材料科学与工艺

针对微流控芯片基片与盖片的结构特点,提出了定模先行抽芯机构,设计制造了微流控芯片基片与盖片一体化注塑成型模具,并进行注塑成型试验研究.结果表明:定模先行抽芯机构可以有效解决盖片上圆孔状储液池成型与脱模的技术难题,如何使微通道复制完全是微流控芯片基片注塑成型的主要技术难点;模具温度对提高微通道复制度起决定性作用,注射速度和熔体温度是次要因素,而注射压力相对其他因素影响力较差,但必须保持在一个较高的水平,依此形成塑料微流控芯片的注塑成型工艺规范.

关键词: 微通道 , 微流控芯片 , 注塑成型 , 复制度 , 基片 , 盖片

氮化硅流延膜的制备

陈殿营 , 张宝林 , 庄汉锐 , 李文兰

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.06.018

流延成型是一种制备高质量陶瓷基片的成型方法.氮化硅是一种高热导率的材料,有望在电子基片领域获得应用.本文利用流延成型制备了具有较好柔韧性和一定强度的氮化硅流延素坯膜.研究了无水乙醇、无水乙醇/丁酮作为溶剂时对浆料粘度的影响.通过优化流延浆料添加剂的各种配比,得出了适合氮化硅粉体(SN-E10)流延的最佳配方.

关键词: 流延成型 , 氮化硅 , 基片

制备电子陶瓷基片用的流延成型工艺

周建民 , 王亚东 , 王双喜 , 黄国权

硅酸盐通报

流延成型是目前生产电子陶瓷薄片常用的方法之一.本文简要介绍了流延成型工艺过程,综述了流延成型技术中的浆料组成、厚度控制、干燥工艺、脱脂工艺等关键工艺的研究现状,并分别对影响各工艺的因素进行了分析.

关键词: 电子陶瓷 , 基片 , 流延成型

氧化锆流延基片的制备

罗志安 , 熊双峰

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.065

研究了工艺参数对氧化锆流延片制备影响.结果表明,当流延体系9<pH<11.5,分散剂用量为1.5wt%,黏结剂含量为5wt%,球磨混合12h的ZnO2浆料稳定,素坯质量好.在1500℃经3h烧结,烧结样品显微结构致密,相对密度达98%.

关键词: 氧化锆 , 流延成型 , 基片

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