赵青南
,
倪佳苗
,
张乃芝
,
赵修建
,
姜宏
,
王桂荣
稀有金属材料与工程
制备了摩尔比为l:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材.采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜.溅射过程中,工作气压保持在1.8 Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)～220℃之间变化.用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率.结果表明,薄膜表面结构平滑、致密,呈微小晶粒结构,薄膜中Ti和Ce仅以Ti4+和Ce4+的形式存在;随着基片温度升高,薄膜中的细小晶粒略有长大;TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线.
关键词:
射频溅射
,
玻璃基TiOx-CeO2薄膜
,
紫外光截止镀膜玻璃
,
基片温度
吕文中
,
贾小龙
,
何笑明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.008
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.
关键词:
ZnO薄膜
,
基片温度
,
c轴取向
,
退火
,
氩氧比
,
结晶质量
黄永刚
,
陈敏
,
李长敏
,
张庆瑜
,
黄英
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.03.015
利用射频磁控溅射设备在玻璃基片上制备TiO2薄膜,采用AFM、UV-Vis分光光度、接触角测定仪等测试手段,研究基片温度对薄膜表面形貌、粗糙度和表面性能的影响.结果表明,随着基片温度增加,薄膜表面粗糙度增大,薄膜中颗粒由无定形态逐渐向定向排列的晶态转变,而薄膜结构、表面形貌和粗糙度的变化明显影响薄膜表面性能.最后,探讨了薄膜的生长机理.
关键词:
TiO2薄膜
,
基片温度
,
原子力显微镜
,
表面形貌
,
表面性能
王朱良
,
李小丽
,
江凤仙
,
田宝强
,
吕宝华
,
许小红
稀有金属材料与工程
采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0.08～0.3%)薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响.结果表明:Al2O3(001)基片很好地诱导了ZnCoO薄膜(002)取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性.较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大.紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co2+取代了ZnO中Zn2+的位置.
关键词:
Co掺杂的ZnO薄膜
,
磁控共溅射
,
基片温度
,
铁磁性
周章渝
,
王松
,
杨发顺
,
杨健
,
傅兴华
低温物理学报
本文介绍了一种薄膜基底与镁源蒸发放置在不同温区的混合物理化学气相法（HPCVD）制备MgB2超导薄膜的技术．以B2Hs为硼源，在（0001）取向的Al2O3单晶基底上在不同的基底温度下制备了MgB．e超导薄膜．采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和标准四线法电阻测量分析了基底沉积温度对生成的MgBe薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响．结果表明，随着基底温度的升高，MgB2相结晶程度提高，C轴取向程度增强、薄膜整体性能显著提高．基底温度为853K时制备的MgBe薄膜的超导电性最为优异：其超导起始转变温度高达39．85K，△T为0．32K．
关键词:
Mg岛超导薄膜
,
SEM
,
XRD
,
基片温度
,
混合物理化学气相法(HPCVD)
马春红
,
马瑞新
,
李士娜
,
扈百直
,
钟景明
,
朱鸿民
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300 nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率.XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相；AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2× 10-4Ω·cm.电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加.ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87％,且随着温度的升高,吸收边发生“红移”,禁带宽度逐渐增加.
关键词:
掺铌ITO
,
透明导电薄膜
,
基片温度
,
性能
王传彬
,
涂溶
,
後藤孝
,
沈强
,
张联盟
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.027
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi2O5薄膜,研究了基片温度(Tsub)、氧分压(Po2)等沉积工艺对薄膜结构的影响.结果表明: BaTi2O5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化,薄膜呈现(710)或(020)取向生长,最佳的PLD沉积条件为Tsub=700℃和Po2=12.5Pa.在该条件下,BaTi2O5薄膜表现出明显的b轴取向,薄膜表面平整光滑,结晶良好,晶粒呈棒状交叉分布,结合紧密.
关键词:
BaTi2O5薄膜
,
b轴取向
,
基片温度
,
氧分压
徐亚新
,
熊杰
,
夏钰东
,
张飞
,
薛炎
,
陶伯万
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12385
采用直流溅射法在Y2O3/YSZ/CeO2(YYC)缓冲层的织构NiW基带上,通过基片温度调制YBa2Cu3O7-δ (YBCO)外延薄膜生长.X射线衍射仪(XRD)表征显示,基片温度强烈地影响YBCO薄膜的外延生长:在较低的基片温度下薄膜趋于a轴取向生长,随基片温度升高薄膜逐渐变为纯c轴取向生长.由于a轴晶粒引起的大角度晶界会阻碍超导电流在a-b面内的传输,因此YBCO薄膜的微观结构和超导电性能随温度升高而得到改善,但是随着基片温度继续升高,基带的氧化程度加剧,YBCO与缓冲层间发生界面反应,从而导致薄膜质量衰退.本研究还计算了YBCO薄膜中的位错密度,并研究了位错密度与自场下YBCO薄膜临界电流密度(Jc)之间的关系.结果表明:YBCO薄膜在自场下的临界电流密度对螺旋位错密度比对刃型位错密度更加敏感,这主要是由YBCO薄膜的螺旋生长机制引起的.
关键词:
YBa2Cu3O7-δ(YBCO)
,
基片温度
,
生长取向
,
位错密度
罗乐平
,
赵青南
,
刘旭
,
丛芳玲
,
顾宝宝
,
董玉红
,
赵杰
硅酸盐通报
通过选取室温、100℃、200 ℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响.实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次.当基片温度由100℃提高至200℃时,循环寿命反而有所衰退,循环次数由3000次减少至1000次.
关键词:
直流反应溅射
,
氧化钨薄膜
,
基片温度
,
循环寿命
,
光学调制幅度
