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磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究

高立刚 , 陈刚 , 邓书康 , 陈亮 , 阚家德 , 俞帆 , 杨宇

功能材料

采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.

关键词: Ge薄膜 , XRD , Raman散射光谱 , 晶粒尺寸 , 声子限域理论

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